Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{46 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

AO4805, Транзистор P-MOSFET 30В 9А 2Вт [SOP-8] 4681 шт. Бренд: UMW Структура: 2 P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 мОм/8A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	4681 шт.	1.10 BYN ×	от 50 шт. — 1.04 BYN
FQP47P06, Транзистор P-MOSFET 60В 47A 160Вт 0.026Ом [TO-220.] 1443 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 26 мОм/23.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	1443 шт.	1.60 BYN ×	от 15 шт. — 1.44 BYN
IRF4905, Транзистор P-MOSFET 55В 74А 200Вт [TO-220.] 4775 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	4775 шт.	2.25 BYN ×	от 15 шт. — 2.16 BYN
AO4407AL, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8.] 609 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/12А, 20В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	609 шт.	2.05 BYN ×	от 15 шт. — 1.92 BYN
AUIRF4905, Транзистор P-MOSFET 55В 42А 170Вт AEC-Q101 [TO-220AB.] 462 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	462 шт.	20 BYN ×	от 15 шт. — 17.36 BYN
AUIRLR2905Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 60А [D-PAK] 634 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	634 шт.	9.70 BYN ×	от 15 шт. — 8.64 BYN
IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB] 986 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	986 шт.	4.20 BYN ×	от 50 шт. — 3.72 BYN
IRF540NPBF, Транзистор N-MOSFET 100В 33А 130Вт 0.044Ом [TO-220.] 1973 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	1973 шт.	1.80 BYN ×	от 15 шт. — 1.60 BYN
IRF540NSTRLPBF, Транзистор N-MOSFET 100В 33А 130Вт 0.044Ом [D2PAK.] 759 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	759 шт.	2.55 BYN ×	от 15 шт. — 2.24 BYN
IRFP360PBF, Транзистор, N-канал 400В 23А [TO-247AC] 3360 шт. Бренд: Vishay Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	3360 шт.	13 BYN ×	от 15 шт. — 11.32 BYN
IRFZ24N, Транзистор N-MOSFET 60В 26А 52.1Вт 0.04Ом [TO-220.] 789 шт. Бренд: EVVO Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 26 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52.1 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	789 шт.	1.25 BYN ×	от 25 шт. — 1.16 BYN
IRLR2905TRPBF, Транзистор, N-канал 55В 36А [D-PAK] 793 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	793 шт.	4.40 BYN ×	от 10 шт. — 3.88 BYN
IRLR2905TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 35А [DPAK / TO-252] 1561 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1561 шт.	3.10 BYN ×	от 50 шт. — 2.84 BYN
IRLZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 47А logic [TO-220AB] 2341 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	2341 шт.	3.80 BYN ×	от 15 шт. — 3.60 BYN
IRLZ44NSTRLPBF, Транзистор N-MOSFET 55В 47А 110Вт [D2PAK / TO-263.] 89 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	89 шт.	5.20 BYN ×	от 15 шт. — 4.56 BYN
AO4805, Транзистор МОП р-канал.x2, полевой, -30В, -7А, 1,3Вт, SO8 3-6 дней, 19 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1.3 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 21	быстрый просмотр	3-6 дней, 19 шт.	3.70 BYN ×	от 10 шт. — 2.95 BYN
FQP47P06, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -33,2А, 160Вт, TO220, QFET® 3-6 дней, 8 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 160 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33.2 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: to220	быстрый просмотр	3-6 дней, 8 шт.	30 BYN ×
IRLR2905 3-6 дней, 2 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3-6 дней, 2 шт.	8.60 BYN ×
Транзистор 40N50L, тип N, 540Вт, корпус TO-247AC 3-6 дней, 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 46 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 540 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	3-6 дней, 1 шт.	72 BYN ×
AUIRF4905 6-7 дней, 138 шт. Бренд: Infineon Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/38А, 10В Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	6-7 дней, 138 шт.	24 BYN ×	от 5 шт. — 22.50 BYN от 10 шт. — 20.50 BYN от 19 шт. — 20 BYN

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ООО «ЧИП и ДИП»