Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{215 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

IRF5305PBF, Транзистор P-MOSFET 60В 31А 110Вт [TO-220.] 3986 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	3986 шт.	1.40 BYN ×	от 15 шт. — 1.36 BYN
IRF5305STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 31А 110Вт [TO-263] 551 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	551 шт.	1.70 BYN ×	от 15 шт. — 1.60 BYN
IRFR1018ETR, Транзистор N-MOSFET 60В 56А [TO-252.] 2375 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0084Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 110 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	2375 шт.	1.35 BYN ×	от 50 шт. — 1.28 BYN
IRFR2405TR, Транзистор N-MOSFET 55В 56А [TO-252.] 2456 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 34 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016Ом/34А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2456 шт.	1.45 BYN ×	от 50 шт. — 1.40 BYN
AUIRFR5305TR, Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -31А [D-PAK] 417 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	417 шт.	11 BYN ×	от 50 шт. — 9.80 BYN
AUIRLR2905Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 60А [D-PAK] 634 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	634 шт.	9.70 BYN ×	от 15 шт. — 8.64 BYN
HUF76429S3ST, Транзистор, UltraFET, N-канал, 60В, 44А [TO-263AB / D2-PAK] 432 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	432 шт.	6.60 BYN ×	от 15 шт. — 6.28 BYN
IRF1018EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79А [TO-220AB] 252 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0084 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 110 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	252 шт.	4.40 BYN ×	от 15 шт. — 3.88 BYN
IRF1018ESTRLPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK] 190 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 77 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0084 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	190 шт.	7 BYN ×	от 15 шт. — 6.72 BYN
IRF5305, Транзистор P-MOSFET 60В 35А 110Вт 0.055Ом [TO-220.] 343 шт. Бренд: JSMicro Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055Ом Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	343 шт.	2.75 BYN ×	от 5 шт. — 2.44 BYN
IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB] 349 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	349 шт.	3 BYN ×	от 15 шт. — 2.68 BYN
IRF5305S, Транзистор P-MOSFET 60В 35А 110Вт 0.055Ом [TO-263.] 1176 шт. Бренд: JSMicro Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055Ом Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-263	быстрый просмотр	1176 шт.	2.80 BYN ×	от 15 шт. — 2.48 BYN
IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK] 1267 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1267 шт.	4.60 BYN ×	от 15 шт. — 4.04 BYN
IRFR1018ETRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал 60В 56А [D-PAK] 161 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0084 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 110 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	161 шт.	4.20 BYN ×	от 15 шт. — 3.68 BYN
IRFR2405TRPBF, Транзистор N-MOSFET 55В 56А [DPAK] 837 шт. Бренд: Infineon Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 56 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 30	быстрый просмотр	837 шт.	4.60 BYN ×	от 15 шт. — 4.04 BYN
IRFR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 59А [D-PAK] 311 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0145 Ом/36А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	311 шт.	5.60 BYN ×	от 15 шт. — 4.96 BYN
IRFR3410TRPBF, Транзистор N-MOSFET 100В 31А 110Вт [DPAK.] 1111 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.039 Ом/18А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 33 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1111 шт.	2.25 BYN ×	от 15 шт. — 2.12 BYN
IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK] 1973 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1973 шт.	2.45 BYN ×	от 50 шт. — 2.16 BYN
IRFR6215TRLPBF, Транзистор P-MOSFET 150В 13А 110Вт [DPAK / TO-252.] 2357 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.295 Ом/6.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 3.6 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	2357 шт.	5.20 BYN ×	от 15 шт. — 4.92 BYN
IRFU5305PBF, Транзистор, Р-канал 55В 28А [I-PAK] 367 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: IPAK	быстрый просмотр	367 шт.	3.30 BYN ×	от 15 шт. — 2.92 BYN

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ООО «ЧИП и ДИП»