Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

84 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Минск
Гомель
Цена, BYN
Мин. цена
Макс. цена
IRF4905STRLP, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263.]
882 шт.
Бренд: UMW
Структура: P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
882 шт.
3.10 BYN ×
от 100 шт. — 2.88 BYN
IRF1310NPBF, Транзистор, N-канал 100В 42А [TO-220AB]
289 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.036 Ом/22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
289 шт.
5.70 BYN ×
от 15 шт. — 5 BYN
IRF4905STRLPBF, Транзистор P-MOSFET 55В 42А 170Вт [D2PAK.]
603 шт.
Бренд: Infineon
Структура: P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/42А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
603 шт.
6.60 BYN ×
от 50 шт. — 5.80 BYN
IRFR1010ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 91А [DPAK.]
78 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 ом при 42a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 31
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
78 шт.
12 BYN ×
от 5 шт. — 10.60 BYN
IRFR2905ZTRPBF, Транзистор, N-канал 55В 59А [D-PAK]
311 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0145 Ом/36А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
311 шт.
5.60 BYN ×
от 15 шт. — 4.96 BYN
IRLR2905TRPBF, Транзистор, N-канал 55В 36А [D-PAK]
793 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
793 шт.
4.40 BYN ×
от 10 шт. — 3.88 BYN
IRLR2905TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 35А [DPAK / TO-252]
1561 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1561 шт.
3.10 BYN ×
от 50 шт. — 2.84 BYN
IRLR6225TRPBF, Транзистор Nкан 20В 100А, [D-PAK]
61 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 ом при 21a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 63
Крутизна характеристики, S: 205
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
61 шт.
3.20 BYN ×
от 15 шт. — 2.84 BYN
IRFP150MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 42А, 160Вт, TO247AC
3-6 дней, 35 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-МОП
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: to247ac
быстрый просмотр
3-6 дней,
35 шт.
8.60 BYN ×
от 10 шт. — 8.30 BYN
IRFR3710ZTRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 42A 140Вт 0,018Ом TO252AA
3-6 дней, 29 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-МОП
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0, 018Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: -
Корпус: dpak
быстрый просмотр
3-6 дней,
29 шт.
21 BYN ×
от 10 шт. — 19.50 BYN
IRLR2905
3-6 дней, 2 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: dpak
быстрый просмотр
3-6 дней,
2 шт.
8.60 BYN ×
FDP42AN15A0
6-7 дней, 34 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
быстрый просмотр
6-7 дней,
34 шт.
16.50 BYN ×
от 2 шт. — 13.50 BYN
от 5 шт. — 12 BYN
от 10 шт. — 11.50 BYN
IRFR2407TRLPBF, транзистор N канал 75В 42А DPak=IRFR2407TRPBF
6-7 дней, 700 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: DPAK(TO-252AA)
быстрый просмотр
6-7 дней,
700 шт.
4.20 BYN ×
от 30 шт. — 3 BYN
от 120 шт. — 2.95 BYN
от 210 шт. — 2.70 BYN
STB57N65M5, Транзистор полевой SMD (42А 710В D2PAK)
10-13 дней, 11 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 710
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
быстрый просмотр
10-13 дней,
11 шт.
115 BYN ×
BSC160N10NS3GATMA1, N-CH 100V 42A 16.0mOhm TDSON-8
7 недель, 20000 шт.
Бренд: Infineon
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 16.0мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60
быстрый просмотр
7 недель,
20000 шт.
7.90 BYN ×
от 10000 шт. — 7.50 BYN
от 15000 шт. — 6.90 BYN
от 20000 шт. — 6.20 BYN
BUK9K13-40HX, MOSFETs BUK9K13-40H/ SOT1205/LFPAK56D
7-8 недель, 194 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 13.6mΩ@10A, 10V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 46
быстрый просмотр
7-8 недель,
194 шт.
15.50 BYN ×
от 10 шт. — 9 BYN
от 100 шт. — 5.40 BYN
BUK9K13-40HX,Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0114 ohm
7 недель, 822 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 13.6mΩ@10A, 10V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 46
быстрый просмотр
7 недель,
822 шт.
29 BYN ×
от 10 шт. — 18.50 BYN
от 100 шт. — 11.50 BYN
BUK9V13-40HX, MOSFETs BUK9V13-40H/ SOT1205/LFPAK56D
7-8 недель, 126 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 46
быстрый просмотр
7-8 недель,
126 шт.
15.50 BYN ×
от 10 шт. — 9 BYN
от 100 шт. — 5.40 BYN
DMG4800LSD-13, MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
7-8 недель, 9245 шт.
Бренд: Diodes
Структура: 2 N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 16 mOhms
быстрый просмотр
7-8 недель,
9245 шт.
8.60 BYN ×
от 10 шт. — 5.30 BYN
от 100 шт. — 3 BYN
от 2500 шт. — 2.75 BYN
DMP2010UFG-7,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Surface Mount
7 недель, 2000 шт.
Бренд: Diodes
Структура: P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0095 Ом
быстрый просмотр
7 недель,
2000 шт.
14 BYN ×
от 10 шт. — 7.50 BYN
от 100 шт. — 4.70 BYN
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60