Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{324 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

IRF4905, Транзистор P-MOSFET 55В 74А 200Вт [TO-220.] 4775 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	4775 шт.	2.25 BYN ×	от 15 шт. — 2.16 BYN
IRF4905STRLP, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263.] 882 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/42А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Крутизна характеристики, S: 19 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	882 шт.	3.10 BYN ×	от 100 шт. — 2.88 BYN
IRF5305STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 31А 110Вт [TO-263] 551 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	551 шт.	1.70 BYN ×	от 15 шт. — 1.60 BYN
IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8] 2135 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 30 мОм/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2135 шт.	1 BYN ×	от 50 шт. — 0.96 BYN
IRF7342TR, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOP-8.] 3175 шт. Бренд: UMW Структура: 2 P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 105 мОм/3.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 3.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	3175 шт.	1.65 BYN ×	от 50 шт. — 1.52 BYN
IRF7343TR, Транзистор N/P-MOSFET 55В 4.7/3.4A 2Вт 0.05/0.09Ом [SOIC-8.] 1876 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 65/90 мОм/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9/3.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1876 шт.	1.20 BYN ×	от 50 шт. — 1.08 BYN
IRF9Z24N, Транзистор P-MOSFET 55В 12А 45Вт [TO-220.] 923 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175Ом/7.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	923 шт.	0.92 BYN ×	от 50 шт. — 0.87 BYN
IRF9Z34N, Транзистор P-MOSFET 55В 19А 68Вт [TO-220.] 1186 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 4.2 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	1186 шт.	1.10 BYN ×	от 50 шт. — 1.04 BYN
IRFR024NTR, Транзистор N-MOSFET 55В 17А 45Вт [DPAK.] 7865 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 75 мОм/10A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 4.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	7865 шт.	1 BYN ×	от 100 шт. — 0.88 BYN
IRFR1205TR, Транзистор N-MOSFET 55В 44А 107Вт [DPAK.] 972 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 44 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 27 мОм/26А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 107 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: dpak	быстрый просмотр	972 шт.	1.50 BYN ×	от 15 шт. — 1.40 BYN
IRFR2405TR, Транзистор N-MOSFET 55В 56А [TO-252.] 2456 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 34 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016Ом/34А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2456 шт.	1.45 BYN ×	от 50 шт. — 1.40 BYN
IRFR4105TR, Транзистор N-MOSFET 55В 27A [DPAK.] 1894 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 6.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1894 шт.	0.64 BYN ×	от 100 шт. — 0.60 BYN
IRLL014NTR, Транзистор N-MOSFET 55В 2.8А [SOT-223] 2014 шт. Бренд: UMW Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.8 Крутизна характеристики, S: 2.3 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	2014 шт.	0.68 BYN ×
AUIRF3205Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 75А [TO-220AB] 425 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0065 Ом/66А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	425 шт.	8.80 BYN ×	от 50 шт. — 8.72 BYN
AUIRF3305, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 140А [TO-220AB] 104 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 140 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 136 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	104 шт.	18 BYN ×	от 15 шт. — 17.32 BYN
AUIRF3805, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 210А [TO-220AB] 154 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0033 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	154 шт.	14.50 BYN ×	от 69 шт. — 12.84 BYN
AUIRF4905, Транзистор P-MOSFET 55В 42А 170Вт AEC-Q101 [TO-220AB.] 462 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	462 шт.	20 BYN ×	от 15 шт. — 17.36 BYN
AUIRFR48Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 62А [D-PAK.] [EOL] 45 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 62 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/37А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 91 Крутизна характеристики, S: 120 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	45 шт.	10.50 BYN ×	от 15 шт. — 10.08 BYN
AUIRFR5305TR, Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -31А [D-PAK] 417 шт. Бренд: Infineon Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	417 шт.	11 BYN ×	от 50 шт. — 9.80 BYN
AUIRLR2905Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 60А [D-PAK] 634 шт. Бренд: Infineon Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	634 шт.	9.70 BYN ×	от 15 шт. — 8.64 BYN

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ООО «ЧИП и ДИП»