Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › HUASHUO

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) HUASHUO

_{191 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

HSM4313, Транзистор, 2P-MOSFET, 40В, 6.5А, 3.1Вт, 0.045Ом [SOP-8.] 89 шт. Бренд: HUASHUO Структура: 2 P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1	быстрый просмотр	89 шт.	0.88 BYN ×	от 20 шт. — 0.80 BYN
HSP3018B, Транзистор, N-MOSFET, 30В, 205А, 187Вт, 0.0024Ом [TO-220.] 71 шт. Бренд: HUASHUO Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 205 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	71 шт.	2.15 BYN ×	от 50 шт. — 2 BYN
IRLML2502, Транзистор, N-MOSFET, 20В, 3.6А, 1Вт, 0.07Ом [SOT-23-3.] 5216 шт. Бренд: HUASHUO Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.25 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	5216 шт.	0.17 BYN ×	от 10 шт. — 0.16 BYN
IRLML6401, Транзистор, P-MOSFET, 20В, 4.9А, 1.31Вт, 0.045Ом [SOT-23-3.] 8000 шт. Бренд: HUASHUO Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 8.6 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	8000 шт.	0.18 BYN ×	от 10 шт. — 0.17 BYN
IRLML6402, Транзистор, P-MOSFET, 20В, 4.9А, 1.31Вт, 0.045Ом [SOT-23-3.] 5150 шт. Бренд: HUASHUO Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.8 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	5150 шт.	0.18 BYN ×	от 10 шт. — 0.17 BYN
HSM3056, 30V 20A 3.1W 3.9m-@10V,20A 2.2V@250uA N Channel SOP-8 MOSFETs 4-5 недель, 35 шт. Бренд: HUASHUO Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1	быстрый просмотр	4-5 недель, 35 шт.	2.80 BYN ×
HSM4313 3 недели, 2615 шт. Бренд: HUASHUO	быстрый просмотр	3 недели, 2615 шт.	1.15 BYN ×	от 500 шт. — 0.92 BYN от 2500 шт. — 0.77 BYN
HSM4313, МОП-Транзистор 40 В 6,5 А 45 м-при 10 В, 6 А 3,1 Вт 2,5 В при 250мкА 80 пФ при 15 В 2 P-канала 1,004нФ при 15 В 9nC при 4,5 В -55-+ 4-5 недель, 2590 шт. Бренд: HUASHUO Структура: 2 P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1	быстрый просмотр	4-5 недель, 2590 шт.	2.45 BYN ×	от 50 шт. — 1.50 BYN от 150 шт. — 1.35 BYN от 500 шт. — 1.10 BYN
IRLML5203, Транзистор, P-MOSFET, 30В, 3.2А, 1.32Вт, 0.043Ом [SOT-23-3.] 5870 шт. Бренд: HUASHUO Крутизна характеристики, S: 5.5		5870 шт.	0.11 BYN ×	от 10 шт. — 0.10 BYN
HSBA6066, 60V 78A 4.4m-@10V,30A 75W 1.65V@250uA 25pF@30V N Channel 1.67nF@30V 33nC@10V -55-~+150-@(Tj) PRPAK5X6 MOSFETs 10 шт. Бренд: HUASHUO Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 78 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.4mΩ@10V, 30A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75		10 шт.	3.90 BYN ×	от 5 шт. — 3.16 BYN
HSBB3103, 30V 32A 20m-@10V,15A 29W 2.5V@250uA P Channel PRPAK3x3 MOSFETs, Производитель: HUASHUO 6 дней, 5 шт. Бренд: HUASHUO Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 29 Корпус: PRPAK3x3		6 дней, 5 шт.	1.30 BYN ×	от 5 шт. — 1.28 BYN
HSU3103, 30V 35A 20m-@10V,15A 34.7W 2.5V@250uA P Channel TO-252 MOSFETs 5 шт. Бренд: HUASHUO Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20mΩ@10V, 15A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 34.7 Корпус: TO-252		5 шт.	1.50 BYN ×	от 5 шт. — 1.48 BYN
HSBA100P03, МОП-Транзистор 30 В 100 А 140 Вт 3,3 м-при 10 В, 30 А 2,2 В при 250мкА P-канальные МОП-Транзистор PRPAK5x5 5-6 дней, 3 шт. Бренд: HUASHUO Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.3mΩ@10V, 30A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140		5-6 дней, 3 шт.	5.40 BYN ×
HSBB6066 6-7 дней, 188 шт. Бренд: HUASHUO Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.4mΩ@10V, 20A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45		6-7 дней, 188 шт.	3.70 BYN ×	от 5 шт. — 3.30 BYN от 10 шт. — 3.10 BYN от 100 шт. — 2.90 BYN
AO3407A, 30V 4A 60m-@10V,3A 1.32W 2.2V@250uA 68pF@15V P Channel 463pF@15V 5.22nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23 MOSFETs 4-5 недель, 5270 шт. Бренд: HUASHUO Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 48mΩ Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.32 Крутизна характеристики, S: 8.2 Корпус: sot-23		4-5 недель, 5270 шт.	0.43 BYN ×	от 100 шт. — 0.27 BYN от 300 шт. — 0.19 BYN от 3000 шт. — 0.15 BYN
AO3415, 20V 4.3A 1.25W 45m-@4.5V,3.5A 1.5V@250uA P Channel SOT-23L MOSFETs 4-5 недель, 1780 шт. Бренд: HUASHUO Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.25 Корпус: sot-23		4-5 недель, 1780 шт.	0.81 BYN ×	от 100 шт. — 0.54 BYN от 300 шт. — 0.43 BYN
AO3416, МОП-Транзистор 20 В 6 А 22 м - при 4,5 В, 6 А 0,72 Вт 1,2 В при 250мкА 88 пФ при 10 В N-канал 1300 пФ при 10 В 10,6 нС при 4,5 В -55 4-5 недель, 110 шт. Бренд: HUASHUO Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 27mΩ@4.5V Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.72 Крутизна характеристики, S: 50 S		4-5 недель, 110 шт.	0.62 BYN ×	от 100 шт. — 0.39 BYN
BSS138, 50V 230mA 3.4-@10V,220mA 230mW 1.5V@250uA N Channel SOT-23-3 MOSFETs 4-5 недель, 6000 шт. Бренд: HUASHUO Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.23 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.23 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-3		4-5 недель, 6000 шт.	0.20 BYN ×	от 500 шт. — 0.12 BYN от 3000 шт. — 0.09 BYN от 6000 шт. — 0.08 BYN
BSS84, МОП-Транзистор 60 В, 300 мА, 6-10 В, 200 мА, 350мВт, 2,5 В, 250мкА, P-канальные МОП-Транзистор SOT-22 4-5 недель, 1000 шт. Бренд: HUASHUO Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8Ω@100mA, 10V Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 270		4-5 недель, 1000 шт.	0.43 BYN ×	от 200 шт. — 0.27 BYN от 600 шт. — 0.20 BYN
BSS84A, SOT-23-3L MOSFETs 4-5 недель, 500 шт. Бренд: HUASHUO Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 84 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8Ω@10V, 0.2A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.7 Корпус: SOT-23-3		4-5 недель, 500 шт.	0.20 BYN 0.08 BYN ×

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) HUASHUO

ООО «ЧИП и ДИП»