Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › AGM-Semi

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) AGM-Semi

_{355 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

AGM210MAP, Транзистор, N/P-MOSFET, 20В, 25А, 35/30.8Вт, 0.01/0.013Ом [PDFN-8_3.3x3.3.] 4 дня, 101 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.21 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35	быстрый просмотр	4 дня, 101 шт.	0.80 BYN ×	от 25 шт. — 0.74 BYN
AGM210MAP, Транзистор MOSFET, DFN3.3x3.3 6-7 недель, 1305 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 11mΩ@4.5V, 4A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35	быстрый просмотр	6-7 недель, 1305 шт.	1.80 BYN ×	от 50 шт. — 1.15 BYN от 150 шт. — 0.96 BYN от 500 шт. — 0.76 BYN
AGM311MN, SOP8 MOSFETs 6-7 недель, 2005 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10.5mΩ@10V, 10A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: sop8	быстрый просмотр	6-7 недель, 2005 шт.	1.95 BYN ×	от 50 шт. — 1.25 BYN от 150 шт. — 1.10 BYN от 500 шт. — 0.88 BYN
AGM612AP, DFN3X3 MOSFETs 6-7 недель, 4075 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 11mΩ@10V, 20A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 78	быстрый просмотр	6-7 недель, 4075 шт.	2.55 BYN ×	от 50 шт. — 1.65 BYN от 150 шт. — 1.40 BYN от 500 шт. — 1.15 BYN
AGM314MAP, Транзистор, N/P-MOSFET, 30В, 30/20А, 29.7Вт, 0.01/0.0185Ом [PDFN-8_3.3x3.3.] 4 дня, 140 шт. Бренд: AGM-Semi Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 29.7		4 дня, 140 шт.	0.80 BYN ×	от 20 шт. — 0.74 BYN
AGM30P55D, 30V 65A 5m@10V,15A 60W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS, Транзистор 4 дня, 1 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 65 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Корпус: TO-252		4 дня, 1 шт.	2.05 BYN ×	от 5 шт. — 2.04 BYN
AGM012N10LLM1, TOLL-9 MOSFETs ROHS 6-7 недель, 51 шт. Бренд: AGM-Semi		6-7 недель, 51 шт.	21 BYN ×	от 10 шт. — 15.50 BYN от 30 шт. — 13.50 BYN
AGM015N10LL, 100V 300A 1.25m-@10V,50A 500W 3V@250uA null 11074pF@50V 157nC@10V -55-~+150-@(Tj) TOLL-8L MOSFETs 6-7 недель, 2550 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 300 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25mΩ@10V, 50A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500		6-7 недель, 2550 шт.	20.50 BYN ×	от 10 шт. — 14.50 BYN от 30 шт. — 12.50 BYN от 100 шт. — 10.50 BYN
AGM01T08LL, 85V 300A 1.2mOhm@10V,50A 500W null TOLL-8L MOSFETs 6-7 недель, 265 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 85 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 300 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2mΩ@10V, 50A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500		6-7 недель, 265 шт.	20 BYN ×	от 10 шт. — 14.50 BYN от 30 шт. — 12.50 BYN от 100 шт. — 8.40 BYN
AGM025N10AT, TO-247 MOSFETs ROHS 6-7 недель, 34 шт. Бренд: AGM-Semi		6-7 недель, 34 шт.	23 BYN ×	от 10 шт. — 16 BYN от 30 шт. — 13.50 BYN
AGM025N10C, 100V 180A 250W 2.7mOhm@10V,30A null TO-220 MOSFETs 6-7 недель, 18 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 180 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.7мОм Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250 Корпус: TO-220		6-7 недель, 18 шт.	16 BYN ×	от 10 шт. — 11 BYN
AGM025N10H, TO-263 MOSFETs ROHS 6-7 недель, 96 шт. Бренд: AGM-Semi		6-7 недель, 96 шт.	13.50 BYN ×	от 10 шт. — 8.90 BYN от 30 шт. — 7.50 BYN
AGM025N13LL, 135V 305A 2.9mOhm@10V,50A 357W null TOLL-8L MOSFETs 6-7 недель, 167 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 135 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 305 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.9mΩ@10V, 50A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 357		6-7 недель, 167 шт.	23 BYN ×	от 10 шт. — 16 BYN от 30 шт. — 14.50 BYN от 100 шт. — 12 BYN
AGM028N08A, PDFN5x6 MOSFETs 6-7 недель, 1540 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Корпус: PDFN5x6		6-7 недель, 1540 шт.	9.90 BYN ×	от 10 шт. — 6.40 BYN от 30 шт. — 5.30 BYN от 100 шт. — 4.60 BYN
AGM035N10C, 100V 160A 227W 3.5m-@10V,20A 3V@250uA null 3750pF@50V 66nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-220C MOSFETs 6-7 недель, 85 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 160 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5mΩ@10V, 20A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 227 Корпус: TO-220		6-7 недель, 85 шт.	11 BYN ×	от 10 шт. — 7.50 BYN от 50 шт. — 5.90 BYN
AGM035N10D, TO-252 MOSFETs 6-7 недель, 50 шт. Бренд: AGM-Semi		6-7 недель, 50 шт.	9.90 BYN ×	от 10 шт. — 6.10 BYN от 30 шт. — 5.30 BYN
AGM03N85H, TO-263 MOSFETs 6-7 недель, 20 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 227 Корпус: TO-263		6-7 недель, 20 шт.	8.90 BYN ×	от 10 шт. — 5.70 BYN
AGM042N10A, 100V 110A 4.2m-@10V,15A 142W 1.6V@250uA null 2980pF@50V 39.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) PDFN5x6 MOSFETs 6-7 недель, 223 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2mΩ@10V, 15A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 142 Корпус: PDFN5x6		6-7 недель, 223 шт.	7.10 BYN ×	от 10 шт. — 4.60 BYN от 30 шт. — 4.20 BYN от 100 шт. — 3.90 BYN
AGM042N10C, TO-220 MOSFETs 6-7 недель, 46 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Корпус: TO-220		6-7 недель, 46 шт.	9.20 BYN ×	от 10 шт. — 5.70 BYN
AGM042N10D, TO-252 MOSFETs 6-7 недель, 5621 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.1mΩ@10V, 20A Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Корпус: TO-252		6-7 недель, 5621 шт.	7.80 BYN ×	от 10 шт. — 5.30 BYN от 30 шт. — 4.40 BYN от 100 шт. — 3.70 BYN