Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А 105Вт 0.0038Ом [DPAK / TO-252.] 5529 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.8 мОм/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: dpak	быстрый просмотр	5529 шт.	0.88 BYN ×	от 50 шт. — 0.76 BYN
10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А 32.1Вт 0.75Ом [TO-220F.] 2444 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32.1 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	2444 шт.	2.10 BYN ×	от 50 шт. — 1.84 BYN
12N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А 96Вт 0.114Ом [DPAK / TO-252.] 2779 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 114 мОм/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 96 Крутизна характеристики, S: 35 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2779 шт.	0.72 BYN ×	от 100 шт. — 0.64 BYN
15N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А 55Вт 0.095Ом [DPAK / TO-252.] 1025 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 95 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Крутизна характеристики, S: 2 Корпус: dpak	быстрый просмотр	1025 шт.	0.88 BYN ×	от 50 шт. — 0.76 BYN
1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А 8Вт 8.5Ом [SOT-223.] 3532 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 8 Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	3532 шт.	0.48 BYN ×	от 50 шт. — 0.40 BYN
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252.] 2412 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1 Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2412 шт.	0.60 BYN ×	от 50 шт. — 0.52 BYN
1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223] 1900 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	1900 шт.	0.56 BYN ×	от 50 шт. — 0.52 BYN
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252.] 3591 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3591 шт.	0.60 BYN ×	от 50 шт. — 0.52 BYN
20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252.] 3037 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3037 шт.	0.68 BYN ×	от 50 шт. — 0.60 BYN
25N06, Транзистор N-MOSFET 60В 25А [TO-252.] 3715 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3715 шт.	0.84 BYN ×	от 50 шт. — 0.72 BYN
2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223.] 2836 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 8 Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	2836 шт.	0.60 BYN ×	от 50 шт. — 0.56 BYN
2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А 8Вт [TO-252.] 3915 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 8 Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3915 шт.	0.64 BYN ×	от 50 шт. — 0.56 BYN
2N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [SOT-223.] 2409 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	2409 шт.	0.56 BYN ×	от 50 шт. — 0.52 BYN
2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252.] 2944 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2944 шт.	0.68 BYN ×	от 50 шт. — 0.60 BYN
2N7002, Транзистор N-MOSFET 60В 115мА [SOT-23-3.] 13206 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	13206 шт.	0.12 BYN ×	от 100 шт. — 0.08 BYN
2N7002B, Транзистор N-MOSFET 60В 115мА [SOT-23-3.] 6972 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.225 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	6972 шт.	0.10 BYN ×	от 100 шт. — 0.07 BYN
30N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252] 50 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.9 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: dpak	быстрый просмотр	50 шт.	0.80 BYN ×	от 100 шт. — 0.68 BYN
30N06, Транзистор N-MOSFET 60В 30А [TO-252] 3590 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: dpak	быстрый просмотр	3590 шт.	0.72 BYN ×	от 50 шт. — 0.68 BYN
30P03D, Транзистор P-MOSFET 30В 9А 37Вт 0.02Ом [PDFN-8_3x3.] 3321 шт. Бренд: UMW Структура: P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 мОм/15А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: PDFN-8_3x3	быстрый просмотр	3321 шт.	0.52 BYN ×	от 40 шт. — 0.48 BYN
35N06, Транзистор N-MOSFET 60В 35А [TO-252] 878 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2 Корпус: dpak	быстрый просмотр	878 шт.	1 BYN ×	от 50 шт. — 0.92 BYN

Транзисторы полевые – полупроводниковые приборы, через которые протекают потоки носителей электрического заряда. Эти потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором (сток и исток – внешние слои полупроводников, затвор – внутренний).

Принцип работы полевых транзисторов основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа (электроны или дырки), в отличие от биполярных транзисторов, у которых два типа носителей заряда.

Посмотреть и купить товар из группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)» вы можете в наших магазинах в Минске и Гомеле. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ООО «ЧИП и ДИП»