Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics

более 1 000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Минск
Гомель
Цена, BYN
Мин. цена
Макс. цена
​
IRF630, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [TO-220AB]
347 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
347 шт.
4.60 BYN ×
от 15 шт. — 3.96 BYN
STB100NF04T4, Транзистор, N-MOSFET, 40В, 120А, 300Вт, 0.0043Ом [D2PAK.]
5 дней, 44 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: TO-263
быстрый просмотр
5 дней,
44 шт.
15 BYN ×
от 10 шт. — 13.88 BYN
STB140NF75T4, Транзистор MOSFET N-канал 75В 120А [D2-PAK]
5 дней, 771 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
771 шт.
22 BYN ×
от 15 шт. — 21.48 BYN
STB55NF06T4, Транзистор N-канал 60В 50А [D2-PAK]
5 дней, 1 291 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/27.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
1 291 шт.
5.70 BYN ×
от 15 шт. — 5.48 BYN
STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK]
5 дней, 1 270 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
1 270 шт.
5.50 BYN ×
от 15 шт. — 5.48 BYN
STB9NK60ZT4, Транзистор N-MOSFET 600В 7А 125Вт 0.95Ом [D2PAK.]
5 дней, 351 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
351 шт.
19 BYN ×
от 5 шт. — 18.20 BYN
STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK]
5 дней, 856 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
856 шт.
5.20 BYN ×
от 50 шт. — 4.52 BYN
STD11N65M5, Транзистор, N-MOSFET, 650В, 9А, 85Вт, 0.43Ом [DPAK.]
5 дней, 62 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
5 дней,
62 шт.
5.30 BYN ×
от 10 шт. — 5.08 BYN
STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В, 50 мОм, 16 В, 1.5 В, [TO-252]
5 дней, 1 140 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
1 140 шт.
2 BYN ×
от 15 шт. — 1.76 BYN
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK]
5 дней, 1 215 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
1 215 шт.
14.50 BYN ×
от 15 шт. — 13.08 BYN
STD2NK90ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 900В 2.1А [D-PAK]
5 дней, 485 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.3
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
485 шт.
1.95 BYN ×
от 15 шт. — 1.85 BYN
STD3NK60ZT4, Транзистор N-MOSFET 600В 2.4А 45Вт [D-PAK]
5 дней, 287 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
5 дней,
287 шт.
2.20 BYN ×
от 15 шт. — 1.96 BYN
STD4NK60ZT4, Транзистор, N-MOSFET, 600В, 4А, 70Вт, 1.7Ом [DPAK.]
5 дней, 168 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
быстрый просмотр
5 дней,
168 шт.
1.35 BYN ×
от 20 шт. — 1.24 BYN
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK]
5 дней, 645 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
645 шт.
5 BYN ×
от 15 шт. — 4.80 BYN
STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 4.4А [D-PAK]
5 дней, 641 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
5 дней,
641 шт.
3.80 BYN ×
от 15 шт. — 3.56 BYN
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP]
804 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
804 шт.
2.80 BYN ×
от 15 шт. — 2.46 BYN
STF13NM60N, Транзистор N-MOSFET 600В 11А 25Вт MDmesh II [TO-220F.]
711 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
711 шт.
3.50 BYN ×
от 15 шт. — 2.95 BYN
STF18N60M2, Транзистор, N-MOSFET, 600В, 13А, 30Вт, 0.255Ом [TO-220F.]
5 дней, 187 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: МОП-транзистор
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.255 Ом
быстрый просмотр
5 дней,
187 шт.
3.30 BYN ×
от 10 шт. — 3.05 BYN
STF22NM60N, Транзистор, N-MOSFET, 600В, 16А, 30Вт, 0.2Ом [TO-220F.]
5 дней, 64 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: TO-220
быстрый просмотр
5 дней,
64 шт.
4.40 BYN ×
от 10 шт. — 4.12 BYN
STF24N60M2, Транзистор, N-MOSFET, 600В, 18А, 30Вт, 0.168Ом [TO-220F.]
5 дней, 240 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Корпус: TO-220
быстрый просмотр
5 дней,
240 шт.
3.90 BYN ×
от 10 шт. — 3.61 BYN
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60