Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › N+P MOSFET

Сборки из транзисторов полевых N-канал + P-канал

_{282 из более 1 000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

AO4606, Транзистор N/P-MOSFET 30В 6/7.6А 2Вт 0.028/0.032Ом [SOIC-8 / SOP-8.] 3 613 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/7.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 19 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	3 613 шт.	0.56 BYN ×	от 50 шт. — 0.48 BYN
AO4614, Транзистор N/P-MOSFET 40В 6/5А 2Вт [SOP-8] 5 дней, 6 286 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 24 мОм/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 6 286 шт.	0.80 BYN ×	от 100 шт. — 0.75 BYN
AO4616, Транзистор N/P-MOSFET 30В 8А/7А 2Вт [SOP-8] 5 дней, 3 190 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 14.5 Ом/8A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 3 190 шт.	0.60 BYN ×	от 50 шт. — 0.48 BYN
AO6601, Транзистор N/P-MOSFET 30В 3.4А/2.3А 1.15Вт [SOT-23-6] 5 дней, 3 352 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 46 мОм/3.4A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	5 дней, 3 352 шт.	0.76 BYN ×	от 100 шт. — 0.70 BYN
AO6604, Транзистор N/P-MOSFET 20В 3.4А/2.5А 1.1Вт [SOT-23-6] 5 дней, 2 598 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4/2.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 51 мОм/3.4A, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.1 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	5 дней, 2 598 шт.	0.60 BYN ×	от 100 шт. — 0.48 BYN
FDS8958A, Транзистор N/P-MOSFET 30В 7/5А 1.6Вт 0.04/0.08Ом [SOP-8 / SOIC-8.] 5 дней, 2 531 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/6А, 4.5В ; 80 мОм/4А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6 Крутизна характеристики, S: 25/10 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 531 шт.	0.68 BYN ×	от 35 шт. — 0.62 BYN
IRF7105TR, Транзистор N/P-MOSFET 25В 3.5А/2.3А 2Вт [SOP-8] 5 дней, 1 112 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 83/160 мОм/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 4.3/3.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 1 112 шт.	1.15 BYN ×	от 50 шт. — 1.06 BYN
IRF7307TR, Транзистор N/P-MOSFET 20В 5.2А/4.3А 2Вт 0.053/0.1Ом [SOP-8.] 5 дней, 4 361 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 53/100 мОм/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3/4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 4 361 шт.	0.60 BYN ×	от 50 шт. — 0.48 BYN
IRF7309TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 4А/3А 1.4Вт [SOP-8] 5 дней, 3 031 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 50/100 мОм/2.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 3 031 шт.	1.55 BYN ×	от 50 шт. — 1.41 BYN
IRF7319TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 6.5А/4.9А 2Вт [SOP-8] 5 дней, 2 900 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5/4.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 31/60 мОм/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 900 шт.	1.55 BYN ×	от 50 шт. — 1.41 BYN
IRF7343TR, Транзистор N/P-MOSFET 55В 4.7/3.4A 2Вт 0.05/0.09Ом [SOIC-8.] 5 дней, 303 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 65/90 мОм/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9/3.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 303 шт.	1.35 BYN ×	от 50 шт. — 1.19 BYN
IRF7389TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 7.3А/5.3А 2.5Вт [SOP-8.] 5 дней, 3 177 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3/5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 29/58 мОм/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 3 177 шт.	1.45 BYN ×	от 50 шт. — 1.32 BYN
IRF9389TR, Транзистор N/P-MOSFET 20В 6.8/4.6А 2Вт [SOP-8.] 5 дней, 2 921 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8/4.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027Ом, 0.064Ом/6.8А, 4.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.2/3.4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 921 шт.	1.20 BYN ×	от 50 шт. — 1.14 BYN
AF4502CSLA-VB, Транзистор N/P-MOSFET 30В 6.8А/6.6А 2Вт [SOP-8.] 5 дней, 108 шт. Бренд: VBsemi Структура: MOSFET Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 40/31	быстрый просмотр	5 дней, 108 шт.	1.60 BYN ×	от 50 шт. — 1.54 BYN
AGM210MAP, Транзистор, N/P-MOSFET, 20В, 25А, 35/30.8Вт, 0.01/0.013Ом [PDFN-8_3.3x3.3.] 5 дней, 352 шт. Бренд: AGM-Semi Структура: MOSFET Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.21 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35	быстрый просмотр	5 дней, 352 шт.	0.88 BYN ×	от 25 шт. — 0.81 BYN
AGM314MAP, Транзистор, N/P-MOSFET, 30В, 30/20А, 29.7Вт, 0.01/0.0185Ом [PDFN-8_3.3x3.3.] 5 дней, 130 шт. Бренд: AGM-Semi Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 29.7	быстрый просмотр	5 дней, 130 шт.	0.88 BYN ×	от 20 шт. — 0.81 BYN
AO4600, Транзистор N/P-MOSFET 30В 6.9/5А 2Вт 0.027/0.049Ом [SOIC-8 / SOP-8.] [EOL] 5 дней, 130 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 ом при6.9А, 10В/0.049 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 16/11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 130 шт.	3.10 BYN ×	от 10 шт. — 2.88 BYN
AO4606, Транзистор N/P-MOSFET 30В 6/6.5А 2Вт 0.03/0.028Ом [SOIC-8 / SOP-8.] 5 дней, 319 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В/0.028 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15/18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 319 шт.	1.60 BYN ×	от 15 шт. — 1.50 BYN
AO4612, Транзистор, N/P-MOSFET, 60В, 4.5/3.2А, 2Вт, 0.056/0.105Ом [SOIC-8.] 5 дней, 161 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5/3.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/4.5a, 10В/0.105 Ом/3.2a, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 161 шт.	2 BYN ×	от 10 шт. — 1.84 BYN
AO4614B, Транзистор, N/P-MOSFET, 40В, 6/5А, 2Вт, 0.03/0.045Ом [SOIC-8.] 5 дней, 199 шт. Бренд: Alpha & Omega Структура: N-Channel, P-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.036 Ом/6A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 19 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 199 шт.	1 BYN ×	от 20 шт. — 0.92 BYN