Сборки из транзисторов полевых P-канал + P-канал

30 из более 1 000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Минск
Гомель
Цена, BYN
Мин. цена
Макс. цена
​
AO4803A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 5А 2Вт 0.074Ом [SOP-8 / SOIC-8.]
5-8 дней, 17 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 74 мОм/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5-8 дней,
17 шт.
0.35 BYN ×
от 65 шт. — 0.33 BYN
APM4953, Транзистор 2P-MOSFET 30В 5.3А 2Вт [SOP-8]
3 468 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 38 мОм/5.3A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 468 шт.
0.52 BYN ×
от 100 шт. — 0.44 BYN
IRF7104TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 2.3A 2Вт [SOP-8.]
5 дней, 2 722 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
2 722 шт.
1 BYN ×
от 100 шт. — 0.88 BYN
IRF7304TR, Транзистор 2P-MOSFET 20В 4.3А 2Вт [SOP-8]
5 дней, 3 555 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 90 мОм/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
3 555 шт.
1.55 BYN ×
от 50 шт. — 1.41 BYN
IRF7316TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
5 дней, 1 829 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 60 мОм/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
1 829 шт.
1.55 BYN ×
от 50 шт. — 1.41 BYN
IRF7324TR, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9А 2Вт [SOP-8.]
5 дней, 1 483 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018Ом/9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
1 483 шт.
1.45 BYN ×
от 50 шт. — 1.36 BYN
IRF7328TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 2Вт [SOP-8]
5 дней, 3 193 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 21 мОм/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
3 193 шт.
1.20 BYN ×
от 50 шт. — 1.14 BYN
IRF7342TR, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOP-8.]
3 086 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 105 мОм/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3 086 шт.
1.85 BYN ×
от 50 шт. — 1.67 BYN
FDS4935A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 3Вт [SOP-8.]
5 дней, 4 011 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Корпус: sop8
быстрый просмотр
5 дней,
4 011 шт.
1.90 BYN ×
от 15 шт. — 1.72 BYN
HSM4313, Транзистор, 2P-MOSFET, 40В, 6.5А, 3.1Вт, 0.045Ом [SOP-8.]
5 дней, 87 шт.
Бренд: HUASHUO
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
быстрый просмотр
5 дней,
87 шт.
0.88 BYN ×
от 20 шт. — 0.80 BYN
IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8]
5 дней, 332 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
332 шт.
2.35 BYN ×
от 25 шт. — 2.08 BYN
IRF7314TRPBF, Транзисто 2P-MOSFET 20В 5.3А 2Вт 0.058Ом [SOIC-8.] [EOL]
5 дней, 878 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
878 шт.
4.40 BYN ×
от 10 шт. — 4.12 BYN
IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]
5 дней, 3 031 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
3 031 шт.
4.80 BYN ×
от 50 шт. — 4.28 BYN
IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOIC-8.]
7 087 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
7 087 шт.
2.75 BYN ×
от 15 шт. — 2.38 BYN
IRF7504, Транзистор 2P-MOSFET 20В 5А 2Вт 0.055Ом [SOP-8.]
5 дней, 2 632 шт.
Бренд: EVVO
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/3А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
2 632 шт.
0.40 BYN ×
от 50 шт. — 0.38 BYN
IRF9362, Транзистор 2P-MOSFET 30В 9.5А 3.1Вт 0.02Ом [SOP-8.]
5 дней, 6 178 шт.
Бренд: EVVO
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5 дней,
6 178 шт.
0.88 BYN ×
от 50 шт. — 0.79 BYN
IRF9362TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 2Вт 0.021Ом [SOIC-8.]
804 шт.
Бренд: Infineon
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
804 шт.
4.80 BYN ×
от 25 шт. — 4.24 BYN
ME4925-G, Транзистор, 2P-MOSFET, 30В, 6.3А, 1.3Вт, 0.016Ом [SOP-8.]
5 дней, 39 шт.
Бренд: MATSUKI
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
быстрый просмотр
5 дней,
39 шт.
0.44 BYN ×
от 45 шт. — 0.38 BYN
SI9948AEY, Транзистор 2P-MOSFET 60В 5.3А 2Вт [SOP-8.]
5-8 дней, 206 шт.
Бренд: EVVO
Структура: 2 P-Channel
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.054 Ом/6.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5-8 дней,
206 шт.
1.95 BYN ×
от 50 шт. — 1.80 BYN
IRF7325, MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
3 недели, 170 шт.
Бренд: IR
Структура: MOSFET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.8
быстрый просмотр
3 недели,
170 шт.
5.80 BYN ×
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60