Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › 2N MOSFET

Сборки из транзисторов полевых N-канал + N-канал

_{95 из более 1 000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

отменить все фильтры

Товары в наличии

Минск

Димитрова, 5

Гомель

Пр-кт Победы, 16Б

Цена, BYN

Мин. цена

Макс. цена

8205A, Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А [SOT-23-6] 5 171 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 22 мОм/5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	5 171 шт.	0.25 BYN ×	от 100 шт. — 0.23 BYN
AO4800, Транзистор 2N-MOSFET 30В 6.9А 2Вт 0.032Ом [SOP-8 / SOIC-8.] 5 дней, 369 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 32 мОм/6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 369 шт.	0.56 BYN ×	от 50 шт. — 0.48 BYN
AO4826, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6.3А 4Вт [SOP-8] 5 дней, 1 953 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 мОм/4.5A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 1 953 шт.	1.05 BYN ×	от 50 шт. — 0.97 BYN
AO4828, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6.5А 2.1Вт [SOP-8.] 5 дней, 2 512 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 30 мОм/6A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 512 шт.	1.10 BYN ×	от 100 шт. — 1.01 BYN
AO4840, Транзистор 2N-MOSFET 60В 7А 4Вт [SOP-8] 5 дней, 3 085 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 19 мОм/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 3 085 шт.	1.40 BYN ×	от 100 шт. — 1.28 BYN
AO4884, Транзистор 2N-MOSFET 40В 10А 2Вт [SOP-8.] 5 дней, 9 356 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 11 мОм/10A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 50 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 9 356 шт.	1 BYN ×	от 50 шт. — 0.88 BYN
AO6800, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5А 1.14Вт [SOT23-6] 5 дней, 5 981 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 30 мОм/3.4A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.14 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	5 дней, 5 981 шт.	0.38 BYN ×	от 50 шт. — 0.33 BYN
AO6802, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5A 1.15Вт [SOT-23-6] 5 дней, 1 453 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	5 дней, 1 453 шт.	0.80 BYN ×	от 100 шт. — 0.75 BYN
BSS138PS, Транзистор 2N-MOSFET 60В 0.3А 0.35Вт [SOT-23-6.] 5 дней, 4 045 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 0.1 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	5 дней, 4 045 шт.	0.18 BYN ×	от 100 шт. — 0.15 BYN
CEM9926A, Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А [SOP-8] 5 дней, 2 190 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 22 мОм/7A, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 190 шт.	0.72 BYN ×	от 100 шт. — 0.66 BYN
FDS8949, Транзистор 2N-MOSFET 40В 6А 2Вт 0.036Ом [SOP-8 / SOIC-8.] 5 дней, 2 596 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 36 мОм/4.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 596 шт.	0.64 BYN ×	от 40 шт. — 0.57 BYN
IRF7103TR, Транзистор 2N-MOSFET 50В 3А 2Вт [SOP-8.] 5 дней, 1 835 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 3.8 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 1 835 шт.	1.05 BYN ×	от 50 шт. — 0.97 BYN
IRF7301TR, Транзистор 2N-MOSFET 20В 5.2А 2Вт [SOP-8.] 5 дней, 6 050 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 6 050 шт.	1.15 BYN ×	от 50 шт. — 1.06 BYN
IRF7303TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8] 5 дней, 2 663 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 50 мОм/2.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5.2 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 663 шт.	1.15 BYN ×	от 50 шт. — 1.06 BYN
IRF7311TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9А 1.6Вт [SOP-8.] 5 дней, 4 994 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.013Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6 Крутизна характеристики, S: 32 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 4 994 шт.	0.80 BYN ×	от 100 шт. — 0.75 BYN
IRF7313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 6.5А 2Вт [SOP-8] 5 дней, 4 565 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 29 мОм/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 4 565 шт.	1.20 BYN ×	от 50 шт. — 1.14 BYN
IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8] 5-8 дней, 491 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 30 мОм/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5-8 дней, 491 шт.	1.15 BYN ×	от 50 шт. — 1.06 BYN
IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8.] 5 дней, 3 188 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 3 188 шт.	2.05 BYN ×	от 50 шт. — 1.89 BYN
IRF8313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9А 1.6Вт [SOP-8] 5 дней, 2 823 шт. Бренд: UMW Структура: N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022Ом/4.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 823 шт.	1.40 BYN ×	от 50 шт. — 1.28 BYN
IRF9956TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5А 2Вт [SOP-8.] 5 дней, 2 840 шт. Бренд: UMW Структура: 2 N-Channel Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5 дней, 2 840 шт.	0.88 BYN ×	от 50 шт. — 0.80 BYN