Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором ON Semiconductor

_{320 из более 1 000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN] 5 дней, 169 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр	5 дней, 169 шт.	31 BYN ×	от 15 шт. — 27.36 BYN
FGA60N65SMD, Транзистор IGBT 650В 120А 600Вт [TO-3PN.] 5 дней, 505 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-3PN	быстрый просмотр	5 дней, 505 шт.	23.50 BYN ×	от 15 шт. — 20.80 BYN
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247] 225 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	225 шт.	26.50 BYN ×	от 15 шт. — 23.68 BYN
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247] 5 дней, 437 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	5 дней, 437 шт.	27 BYN ×	от 15 шт. — 24.16 BYN
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247] 407 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	407 шт.	32 BYN ×	от 15 шт. — 28.04 BYN
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] 5 дней, 79 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	5 дней, 79 шт.	46 BYN ×	от 15 шт. — 44.76 BYN
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247] 5 дней, 721 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр	5 дней, 721 шт.	28.50 BYN ×	от 15 шт. — 25.36 BYN
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247-3LD.] 5 дней, 168 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	5 дней, 168 шт.	29.50 BYN ×	от 15 шт. — 26.60 BYN
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247-3LD.] 5 дней, 114 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	5 дней, 114 шт.	16 BYN ×	от 15 шт. — 14.04 BYN
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21А 150Вт [DPAK.] 41 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: DPAK/TO-252AA	быстрый просмотр	41 шт.	15.50 BYN ×	от 15 шт. — 13.88 BYN
ISL9V3040S3ST, Транзистор Ignition IGBT 430В 21А [D2-PAK/ TO-263AB] 5 дней, 577 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 430 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 150 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 4800 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	5 дней, 577 шт.	16 BYN ×	от 15 шт. — 15.56 BYN
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт [TO-247.] [EOL] 5 дней, 21 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	5 дней, 21 шт.	20.50 BYN ×	от 15 шт. — 20.40 BYN
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт [TO-247.] [EOL] 5 дней, 2 шт. Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	5 дней, 2 шт.	40 BYN ×	от 15 шт. — 39.20 BYN
ISL9V2040S3S N-канальные IGBT Транзисторы, N-канальные; Uс-и max 430 В; Iраб. 10 А; Pрасс. 130 Вт; Траб -40 +175; Корпус TO-263AB 10 дней, 2 шт. Бренд: Fairchild	быстрый просмотр	10 дней, 2 шт.	12 BYN ×	от 5 шт. — 11.80 BYN
ISL9V3040P3, БТИЗ транзистор, 21 А, 1.25 В, 150 Вт, 400 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов) 5 дней, 2 шт. Бренд: Fairchild	быстрый просмотр	5 дней, 2 шт.	33 BYN ×	от 5 шт. — 32.80 BYN
ISL9V5036S3ST, БТИЗ транзистор, 46 А, 1.17 В, 250 Вт, 360 В, TO-263AB, 3 вывод(-ов) 5 дней, 11 шт. Бренд: Fairchild Технология/семейство: Ignition Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 390 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 46 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: d2pak	быстрый просмотр	5 дней, 11 шт.	36 BYN ×	от 5 шт. — 35.44 BYN
FGB20N60SFD_F085 8-9 дней, 575 шт. Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	8-9 дней, 575 шт.	8.60 BYN ×	от 200 шт. — 6.80 BYN от 400 шт. — 6.30 BYN
FGH20N60SFDTU, Транзистор IGBT, 600В, 20А, 66Вт, TO247-3 8-9 дней, 4 шт. Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	8-9 дней, 4 шт.	38 BYN ×
FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт 8-9 дней, 1 шт. Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	8-9 дней, 1 шт.	28 BYN ×
HGTG40N60A4 8-9 дней, 17 шт. Бренд: ON Semiconductor Корпус: to247	быстрый просмотр	8-9 дней, 17 шт.	98 BYN ×	от 2 шт. — 94 BYN от 4 шт. — 93 BYN от 6 шт. — 86 BYN