Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor

_{более 1 000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2N3773G, Транзистор NPN 150Вт 4МГц [TO-3] 5 дней, 135 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150 Корпус: то-3	быстрый просмотр	5 дней, 135 шт.	39 BYN ×	от 10 шт. — 34.48 BYN
2N3904BU, Транзистор, NPN, 40В, 0.2А, 0.625Вт, hFE=100...300 [TO-92.] 5 дней, 254 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	5 дней, 254 шт.	0.56 BYN ×	от 60 шт. — 0.44 BYN
2N3904TA, Транзистор, NPN, 40В, 0.2А, 0.625Вт, hFE=100...300 [TO-92_Formed Leads.] 5 дней, 158 шт. Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	5 дней, 158 шт.	0.44 BYN ×	от 50 шт. — 0.39 BYN
2N3906TA, Транзистор, PNP, 40В, 0.2А, 0.625Вт, hFE=100…400 [TO-92_Formed Leads.] 5 дней, 280 шт. Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	5 дней, 280 шт.	0.44 BYN ×	от 50 шт. — 0.40 BYN
2N4403BU, Транзистор, PNP, 40В, 0.6А, 0.625Вт, hFE=100...300 [TO-92.] 5 дней, 1 947 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	5 дней, 1 947 шт.	0.15 BYN ×	от 270 шт. — 0.13 BYN
2N5401YBU, Транзистор, PNP, 150В, 0.6А, 0.625Вт, hFE=40...200 [TO-92.] 5 дней, 591 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.35 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	5 дней, 591 шт.	0.44 BYN ×	от 50 шт. — 0.38 BYN
2N5551BU, Транзистор, NPN, 160В, 0.6А, 0.625Вт, hFE=80…250 [TO-92.] 5 дней, 5 386 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	5 дней, 5 386 шт.	0.52 BYN ×	от 40 шт. — 0.42 BYN
2N6488G, Транзистор NPN 80В 15А 75Вт hFE=20...150 [TO-220.] 5 дней, 121 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 90 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 90 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 121 шт.	5.10 BYN ×	от 15 шт. — 4.48 BYN
2N6491G, Транзистор PNP 80В 15А 75Вт hFE=20...150 [TO-220.] 5 дней, 330 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75 Корпус: TO-220	быстрый просмотр	5 дней, 330 шт.	5.60 BYN ×	от 15 шт. — 5.36 BYN
2N6520TA, Транзистор, PNP, 350В, 0.5А, 0.625Вт, hFE=30...200 [TO-92 Formed Leads.] 5 дней, 683 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	5 дней, 683 шт.	0.88 BYN ×	от 30 шт. — 0.80 BYN
2SA2222SG, Транзистор PNP 50В 10А 25Вт hFE=150...450 [TO-220F.] 165 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 150 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 230 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25 Корпус: TO-220F-3FS	быстрый просмотр	165 шт.	9.40 BYN ×	от 5 шт. — 8.44 BYN
2SC5706-TL-E, Транзистор NPN 50В 5А [TP-FA / TO-252.] 5 дней, 249 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 400 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.8	быстрый просмотр	5 дней, 249 шт.	8 BYN ×	от 15 шт. — 7.56 BYN
2SC6144SG, Транзистор биполярный, NPN 50В 10А 25Вт [TO-220F-3SG] 138 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…560 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 330 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25 Корпус: TO-220F-3FS	быстрый просмотр	138 шт.	7.20 BYN ×	от 15 шт. — 6.44 BYN
BC32725BU, Транзистор, PNP, 45В, 0.8А, 0.625Вт, hFE=160...400 [TO-92.] 5 дней, 561 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Статический коэффициент передачи тока h21э макс: 400 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 260 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	5 дней, 561 шт.	1.25 BYN ×	от 20 шт. — 1.14 BYN
BC33725TA, Транзистор, NPN, 45В, 0.8А, 0.625Вт, hFE=160...400 [TO-92_Formed Leads.] 5 дней, 1 642 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Статический коэффициент передачи тока h21э макс: 400 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92_Formed Leads	быстрый просмотр	5 дней, 1 642 шт.	0.44 BYN ×	от 40 шт. — 0.42 BYN
BC33740TA, Транзистор, NPN, 45В, 0.8А, 0.625Вт, hFE=250…630 [TO-92_Formed Leads.] 5 дней, 653 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250 Статический коэффициент передачи тока h21э макс: 630 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92_Formed Leads	быстрый просмотр	5 дней, 653 шт.	0.56 BYN ×	от 40 шт. — 0.48 BYN
BC517-D74Z, Транзистор Дарлингтона NPN 30В 0.5А 0.63Вт, [TO-92] 677 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	677 шт.	1.50 BYN ×	от 100 шт. — 1.32 BYN
BC546BTA, Транзистор, NPN, 65В, 0.1А, 0.5Вт, hFE=200…450 [TO-92_Formed Leads.] 1 354 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200 Статический коэффициент передачи тока h21э макс: 450 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: TO-92_Formed Leads	быстрый просмотр	1 354 шт.	0.68 BYN ×	от 30 шт. — 0.63 BYN
BC547BBU, Транзистор, NPN, 45В, 0.1А, 0.5Вт, hFE=200…450 [TO-92.] 5 дней, 1 153 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200 Статический коэффициент передачи тока h21э макс: 450 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	5 дней, 1 153 шт.	0.64 BYN ×	от 30 шт. — 0.55 BYN
BC547BTA, Транзистор, NPN, 45В, 0.1А, 0.5Вт, hFE=200…450 [TO-92_Formed Leads.] 5 дней, 2 873 шт. Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200 Статический коэффициент передачи тока h21э макс: 450 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: TO-92_Formed Leads	быстрый просмотр	5 дней, 2 873 шт.	0.60 BYN ×	от 40 шт. — 0.51 BYN