Результаты поиска «igbt транзисторы»
> 1000
Найдено в нескольких товарных группах
igbt транзисторы в группе «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)» | ||||
STGB10NB37LZT4, Транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]
994 шт.
Бренд: ST Microelectronics
|
![]() |
994 шт. |
19.50 BYN × |
от 15 шт. — 19.20 BYN
|
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
2087 шт.
Бренд: Toshiba
|
![]() |
2087 шт. |
9.10 BYN × |
|
IHW20N135R5, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1350В, 20А [PG-TO247-3.](H20PR5)
1397 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
1397 шт. |
7.30 BYN × |
от 15 шт. — 6.40 BYN
|
IHW30N135R5, Транзистор IGBT 1350В 30А 330Вт [PG-TO247-3.] (H30PR5)
715 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
715 шт. |
13.50 BYN × |
от 15 шт. — 11.60 BYN
|
CRG15T120BNR3S, Транзистор IGBT 1200В 15А 156Вт Trench FS-RC III [TO-3P(N)]
145 шт.
Бренд: CRMICRO
|
![]() |
145 шт. |
5.70 BYN × |
от 15 шт. — 5.36 BYN
|
еще более 1000 товаров по запросу «igbt транзисторы» | ||||
igbt транзисторы в группе «IGBT модули» | ||||
FP06R12W1T4B3, Модуль: IGBT, диод/транзистор, 3-фазный диодный мост, Ic: 6А, 94Вт
3 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
3 шт. |
240 BYN × |
от 5 шт. — 236.12 BYN
|
SKM300GBD12T4, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ
5-6 недель, 12 шт.
Бренд: Semikron
|
![]() |
5-6 недель, 12 шт. |
1 920 BYN × |
от 3 шт. — 1 680 BYN
от 8 шт. — 1 400 BYN
|
PSHI 25/06, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 17А
5-6 недель, 17 шт.
Бренд: POWERSEM
|
![]() |
5-6 недель, 17 шт. |
255 BYN × |
от 3 шт. — 205 BYN
от 10 шт. — 165 BYN
|
SKM100GB176D, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВ
5-6 недель, 14 шт.
Бренд: Semikron
|
![]() |
5-6 недель, 14 шт. |
1 350 BYN × |
от 3 шт. — 1 160 BYN
от 8 шт. — 930 BYN
|
SKIIP 25AC126V1, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, 3-фазный мост IGBT, Ic: 55А
5-6 недель, 52 шт.
Бренд: Semikron
|
![]() |
5-6 недель, 52 шт. |
1 190 BYN × |
от 3 шт. — 1 030 BYN
от 10 шт. — 820 BYN
|
еще товары по запросу «igbt транзисторы» | ||||
igbt транзисторы в группе «Транзисторы биполярные (BJTs)» | ||||
IKW50N60DTPXKSA1, , Высокоскоростной IGBT транзистор , 600В, 80А, 319.2Вт корпус TO-247-3
5 дней, 250 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
5 дней, 250 шт. |
12.50 BYN × |
от 10 шт. — 11.50 BYN
от 20 шт. — 10.50 BYN
|
IKW30N65H5XKSA1, , IGBT транзистор , 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
5 дней, 220 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
5 дней, 220 шт. |
10.50 BYN × |
от 10 шт. — 9.50 BYN
|
IKW30N60DTPXKSA1, , IGBT транзистор , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-3
5 дней, 296 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
5 дней, 296 шт. |
14.50 BYN × |
от 10 шт. — 14 BYN
от 20 шт. — 12.50 BYN
|
IKW50N65ES5XKSA1, , IGBT транзистор , 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
5 дней, 144 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
5 дней, 144 шт. |
17 BYN × |
от 10 шт. — 15.50 BYN
от 20 шт. — 14.50 BYN
|
IKW40N65ES5XKSA1, , IGBT транзистор , 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-3
5 дней, 660 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
5 дней, 660 шт. |
6.50 BYN × |
от 20 шт. — 6.10 BYN
от 40 шт. — 5.40 BYN
|
еще товары по запросу «igbt транзисторы» | ||||
igbt транзисторы в группе «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)» | ||||
IGBT транзистор DGW50N65BTH YJ
11 дней, 2 шт.
Бренд: YANGZHOU YANGJIE ELE
|
![]() |
11 дней, 2 шт. |
14 BYN × |
|
IXBX75N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 75А, 1,04кВт, PLUS247™
4-5 недель, 13 шт.
Бренд: Ixys
|
![]() |
4-5 недель, 13 шт. |
340 BYN × |
|
IGP06N60TXKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 6А, 88Вт, TO220-3
4-5 недель, 343 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
4-5 недель, 343 шт. |
9.90 BYN × |
от 10 шт. — 6.50 BYN
от 50 шт. — 5.70 BYN
от 100 шт. — 5.30 BYN
|
IXBH9N160G, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,6кВ, 5А, 100Вт, TO247-3
4-5 недель, 6 шт.
Бренд: Ixys
|
![]() |
4-5 недель, 6 шт. |
72 BYN × |
|
IGB15N60TATMA1, Транзистор: IGBT, 600В, 15А, 130Вт, D2PAK
5-6 недель, 805 шт.
Бренд: Infineon
|
![]() |
5-6 недель, 805 шт. |
11 BYN × |
|
еще товары по запросу «igbt транзисторы» | ||||
igbt транзисторы в группе «Драйверы MOSFET и IGBT» | ||||
SK 50 GD 12T4 T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А
5-6 недель, 4 шт.
Бренд: Semikron
|
![]() |
5-6 недель, 4 шт. |
1 200 BYN × |
от 3 шт. — 1 030 BYN
|
SKM400GAL125D, Модуль: IGBT, диод/транзистор, boost chopper, Urmax: 1,2кВ
5-6 недель, 2 шт.
Бренд: Semikron
|
![]() |
5-6 недель, 2 шт. |
2 750 BYN × |
|
HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
5-6 недель, 6 шт.
Бренд: Huajing
|
![]() |
5-6 недель, 6 шт. |
840 BYN × |
от 3 шт. — 740 BYN
|
HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
5-6 недель, 8 шт.
Бренд: Huajing
|
![]() |
5-6 недель, 8 шт. |
520 BYN × |
от 3 шт. — 440 BYN
|
SKM300GB066D, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В
5-6 недель, 11 шт.
Бренд: Semikron
|
![]() |
5-6 недель, 11 шт. |
2 460 BYN × |
от 3 шт. — 1 880 BYN
|
Страница
- 1
- 2