Оптопары с транзисторным и диодным выходом
957
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
 быстрый просмотр |
1921 шт. |
0.68 BYN
×
от 100 шт. — 0.61 BYN
|
||
|
Пр-во: Vishay
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 20
Время включения (Typ), мкс: 11.7
Время выключения (Typ), мкс: 7
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 70
Выходной ток на канал, мА: 50
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
1.80 BYN
×
от 20 шт. — 1.58 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 20
Время включения (Typ), мкс: 2
Время выключения (Typ), мкс: 2
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
|
 быстрый просмотр |
1.65 BYN
×
от 20 шт. — 1.38 BYN
|
||
|
Пр-во: Fairchild
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 20
Время включения (Typ), мкс: 2
Время выключения (Typ), мкс: 2
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
1.65 BYN
×
от 20 шт. — 1.31 BYN
|
||
|
Пр-во: Vishay
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 10
Время включения (Typ), мкс: 11.7
Время выключения (Typ), мкс: 7
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 70
Выходной ток на канал, мА: 50
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
2 BYN
×
от 20 шт. — 1.76 BYN
|
||
|
Пр-во: Vishay
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 10
Время включения (Typ), мкс: 11.7
Время выключения (Typ), мкс: 7
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 70
Выходной ток на канал, мА: 50
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
2.20 BYN
×
от 20 шт. — 1.86 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 100
Время включения (Typ), мкс: 5
Время выключения (Typ), мкс: 40
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
4.70 BYN
×
от 20 шт. — 4.40 BYN
|
||
|
Пр-во: Vishay
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5300
Коэффициент передачи по току (Min), %: 500
Время включения (Typ), мкс: 5
Время выключения (Typ), мкс: 100
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 100
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
3.50 BYN
×
от 20 шт. — 2.76 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 500
Время включения (Typ), мкс: 5
Время выключения (Typ), мкс: 100
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
1.95 BYN
×
от 20 шт. — 1.59 BYN
|
||
|
Пр-во: Vishay
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5300
Коэффициент передачи по току (Min), %: 500
Время включения (Typ), мкс: 5
Время выключения (Typ), мкс: 100
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 100
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: dip-6
|
 быстрый просмотр |
3.40 BYN
×
от 20 шт. — 3.10 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 500
Время включения (Typ), мкс: 5
Время выключения (Typ), мкс: 100
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор(Дарлингтон)с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 150
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
1.80 BYN
×
от 20 шт. — 1.51 BYN
|
||
|
быстрый просмотр |
4676 шт. |
0.64 BYN
×
от 100 шт. — 0.57 BYN
|
||
|
Пр-во: Vishay
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 100
Время включения (Typ), мкс: 10
Время выключения (Typ), мкс: 10
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 50
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
2.35 BYN
×
от 20 шт. — 2 BYN
|
||
|
2234 шт.
Пр-во: Everlight
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 3550
Коэффициент передачи по току (Min), %: 100
Время включения (Typ), мкс: 3
Время выключения (Typ), мкс: 3
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 100
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: dip-6
|
 быстрый просмотр |
2234 шт. |
1 BYN
×
от 50 шт. — 0.94 BYN
|
|
|
Пр-во: ON Semiconductor
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 100
Время включения (Typ), мкс: 2
Время выключения (Typ), мкс: 2
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
2.20 BYN
×
от 20 шт. — 1.59 BYN
|
||
|
Пр-во: Vishay
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 100
Время включения (Typ), мкс: 10
Время выключения (Typ), мкс: 10
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 50
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: SMD-6, option 7
|
 быстрый просмотр |
1.95 BYN
×
от 10 шт. — 1.55 BYN
|
||
|
Пр-во: Vishay
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 100
Время включения (Typ), мкс: 10
Время выключения (Typ), мкс: 10
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Выходной ток на канал, мА: 50
Рабочая температура, °C: -55…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
1.65 BYN
×
от 20 шт. — 1.29 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 4170
Коэффициент передачи по току (Min), %: 100
Время включения (Typ), мкс: 2
Время выключения (Typ), мкс: 2
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 30
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-6
|
быстрый просмотр |
2 BYN
×
от 20 шт. — 1.72 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 7
Коэффициент передачи по току (Max), %: 50
Время включения (Typ), мкс: 0.23
Время выключения (Typ), мкс: 0.45
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 20
Выходной ток на канал, мА: 8
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-8
|
 быстрый просмотр |
4 BYN
×
от 20 шт. — 3.59 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Количество каналов: 1
Напряжение изоляции (RMS), В: 5000
Коэффициент передачи по току (Min), %: 19
Коэффициент передачи по току (Max), %: 50
Время включения (Typ), мкс: 0.25
Время выключения (Typ), мкс: 0.26
Тип входа: DC
Тип выхода: Транзистор с базой
Напряжение выхода, В: 20
Выходной ток на канал, мА: 8
Рабочая температура, °C: -40…+100
Корпус: dip-8
|
быстрый просмотр |
5.30 BYN
×
от 20 шт. — 4.80 BYN
|