+375 17 317-59-11
+375 17 317-59-14
Электронная почта

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)7 из 310

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Гомель
Минск
Цена
Мин. цена BYN
Макс. цена BYN
 
 
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
232 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 208
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 36
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 137
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
232 шт.
9.60 BYN ×
от 15 шт. — 9.45 BYN
IRG4PC50UDPBF, IGBT 600В 55А 8-60кГц [TO-247AC]
947 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 55
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 140
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
947 шт.
16 BYN ×
от 15 шт. — 15.41 BYN
IRG4PC50UPBF, IGBT 600В 55А [TO-247AC]
219 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 55
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
219 шт.
12.50 BYN ×
от 15 шт. — 12.10 BYN
IRG4PC50WPBF, IGBT 600В 55А 150кГц [TO-247]
380 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 55
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 120
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
380 шт.
13.50 BYN ×
от 15 шт. — 13.10 BYN
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
279 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
279 шт.
5.60 BYN ×
от 15 шт. — 5.48 BYN
HGTG30N60B3, 60A/600V N-
4-7 недель, 340 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 208
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 36
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 137
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
4-7 недель,
340 шт.
8.20 BYN ×
от 10 шт. — 8.03 BYN
SGH80N60UFDTU, Транзистор IGBT UFD 600В 80А 195Вт [TO-3PN]
По запросу
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufd
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 195
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 90
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-3PN
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
По запросу
16 BYN ×
от 15 шт. — 15.93 BYN