+375 17 317-59-11
+375 17 317-59-14
Электронная почта

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)11 из 310

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Гомель
Минск
Цена
Мин. цена BYN
Макс. цена BYN
 
 
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
540 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2-pak
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
540 шт.
2 BYN ×
от 15 шт. — 1.83 BYN
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
1294 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1294 шт.
3.60 BYN ×
от 15 шт. — 3.48 BYN
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220]
275 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
275 шт.
3 BYN ×
от 15 шт. — 2.90 BYN
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3]
1586 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1586 шт.
3.70 BYN ×
от 15 шт. — 3.45 BYN
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
1084 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1084 шт.
1.95 BYN ×
от 15 шт. — 1.86 BYN
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
221 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
221 шт.
5.20 BYN ×
от 15 шт. — 5 BYN
STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]
494 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
494 шт.
4.80 BYN ×
от 15 шт. — 4.66 BYN
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
279 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
279 шт.
5.60 BYN ×
от 15 шт. — 5.48 BYN
STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
2 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
2 шт.
4.90 BYN ×
от 15 шт. — 4.76 BYN
STGF14NC60KD, Транзистор
4-6 дней, 61 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 11
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 28
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
4-6 дней,
61 шт.
6.30 BYN ×
от 2 шт. — 4.48 BYN
STGF19NC60HD, Транзистор IGBT N-канал 600В 9А [TO-220FP]
4-6 дней, 10 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
4-6 дней,
10 шт.
8.70 BYN ×