Телефон в Минске
+375 17 317-59-11, +375 17 317-59-14
Электронная почта

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)11 из 284

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Минск
Цена
Мин. цена BYN
Макс. цена BYN
 
 
STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]
3-4 дня, 666 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: d2-pak
Добавить к сравнению
3-4 дня,
666 шт.
1.45 BYN ×
от 15 шт. — 1.32 BYN
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
3-4 дня, 617 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 20
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
3-4 дня,
617 шт.
2.60 BYN ×
от 15 шт. — 2.52 BYN
STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220]
3-4 дня, 144 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
3-4 дня,
144 шт.
2.15 BYN ×
от 15 шт. — 2.10 BYN
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3]
3-4 дня, 462 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
3-4 дня,
462 шт.
2.75 BYN ×
от 15 шт. — 2.71 BYN
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
3-4 дня, 352 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
3-4 дня,
352 шт.
1.50 BYN ×
от 15 шт. — 1.42 BYN
STGW20NC60VD, IGBT 50КГц/30А/600В диод, [TO-247]
3-4 дня, 454 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 31
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 100
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
3-4 дня,
454 шт.
3.50 BYN ×
от 15 шт. — 3.35 BYN
STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
147 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
147 шт.
4.90 BYN
4.60 BYN
×
от 15 шт. — 4.45 BYN
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
3-4 дня, 134 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
3-4 дня,
134 шт.
4.30 BYN ×
от 15 шт. — 4.23 BYN
STGF14NC60KD
3-4 недели, 871 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 11
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 28
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 116
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
Добавить к сравнению
3-4 недели,
871 шт.
5.50 BYN ×
от 10 шт. — 4.26 BYN
STGF19NC60HD, Транзистор IGBT N-канал 600В 9А [TO-220FP]
8-9 дней, 954 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 32
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220fp
Добавить к сравнению
8-9 дней,
954 шт.
4.60 BYN ×
от 15 шт. — 3.87 BYN
STGW19NC60HD, Трпнзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт, [TO-247]
3-4 недели, 515 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
Добавить к сравнению
3-4 недели,
515 шт.
9.10 BYN ×
от 10 шт. — 6.65 BYN