+375 17 317-59-11
+375 17 317-59-14
Электронная почта

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)147 из 310

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Гомель
Минск
Цена
Мин. цена BYN
Макс. цена BYN
 
 
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
4663 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-3p
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
4663 шт.
6.30 BYN ×
от 15 шт. — 6.17 BYN
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
219 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
219 шт.
9 BYN ×
от 15 шт. — 8.86 BYN
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
2682 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
2682 шт.
9.90 BYN ×
от 15 шт. — 9.76 BYN
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
1573 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1573 шт.
12.50 BYN ×
от 15 шт. — 12.17 BYN
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
367 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
367 шт.
9.50 BYN ×
от 15 шт. — 9.31 BYN
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
2062 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
2062 шт.
19.50 BYN ×
от 15 шт. — 18.93 BYN
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
1167 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1167 шт.
11.50 BYN ×
от 15 шт. — 11.14 BYN
GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]
380 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 170
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 330
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 700
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-21f2c
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
380 шт.
12 BYN ×
от 15 шт. — 11.76 BYN
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
327 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
327 шт.
8 BYN ×
от 15 шт. — 7.93 BYN
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
380 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
380 шт.
6.30 BYN ×
от 15 шт. — 6.17 BYN
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
213 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
213 шт.
5.40 BYN ×
от 15 шт. — 5.28 BYN
HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А [TO-247]
1278 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1278 шт.
8.10 BYN ×
от 15 шт. — 7.97 BYN
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
1103 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1103 шт.
8.60 BYN ×
от 15 шт. — 8.41 BYN
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
2814 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
2814 шт.
9 BYN ×
от 15 шт. — 8.86 BYN
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
1722 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1722 шт.
11.50 BYN ×
от 15 шт. — 11.07 BYN
HGTG30N60B3D, IGBT+диод 600В 60А [TO-247]
232 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 208
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 36
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 137
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
232 шт.
9.60 BYN ×
от 15 шт. — 9.45 BYN
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247]
133 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
133 шт.
25 BYN ×
от 15 шт. — 24.69 BYN
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
492 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
492 шт.
5 BYN ×
от 15 шт. — 4.83 BYN
IRG4BC20KDPBF, Транзистор IGBT 600V UltraFast 8-25kHz, [TO-220-3]
153 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 32
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 54
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
153 шт.
3.80 BYN ×
от 15 шт. — 3.69 BYN
IRG4BC20UDPBF, IGBT+ диод 600В 13А [TO-220AB]
401 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 13
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
401 шт.
5.20 BYN ×
от 15 шт. — 5 BYN
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60