Телефон в Минске
+375 17 317-59-11, +375 17 317-59-14
Электронная почта

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)13 из 284

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Минск
Цена
Мин. цена BYN
Макс. цена BYN
 
 
IRGB4062DPBF, IGBT 600В 48А [TO-220AB]
3-4 дня, 88 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-220AB
Добавить к сравнению
3-4 дня,
88 шт.
7.40 BYN ×
от 15 шт. — 7.32 BYN
IRGP4062DPBF, IGBT 600В 48А 8-30кГц [TO-247AC]
3-4 дня, 154 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
3-4 дня,
154 шт.
9.50 BYN ×
от 15 шт. — 9.42 BYN
IRGP4640D-EPBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AD]
3-4 дня, 66 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 65
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-247AD
Добавить к сравнению
3-4 дня,
66 шт.
7.20 BYN ×
от 10 шт. — 7.16 BYN
IRGP4640DPBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AC]
3-4 дня, 58 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 65
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
3-4 дня,
58 шт.
7.20 BYN ×
от 10 шт. — 7.06 BYN
SKW30N60HS (K30N60HS), Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3]
117 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 112
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 250
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-247-3
Добавить к сравнению
117 шт.
11.50 BYN ×
от 5 шт. — 11.03 BYN
STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
147 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
147 шт.
4.90 BYN
4.60 BYN
×
от 15 шт. — 4.45 BYN
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
3-4 дня, 134 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
3-4 дня,
134 шт.
4.30 BYN ×
от 15 шт. — 4.23 BYN
STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В, [TO-247]
1222 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: hf, planar
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 145
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
1222 шт.
8.60 BYN ×
от 10 шт. — 8.39 BYN
IRGP4262DPBF, Транзистор, IGBT, 650В, 60А [TO-247AC]
3-5 дней, 2 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen6
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
3-5 дней,
2 шт.
6.50 BYN ×
от 2 шт. — 6.45 BYN
IRGP4640PBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AC]
3-4 дня, 70 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 65
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
3-4 дня,
70 шт.
4.20 BYN ×
от 15 шт. — 3.97 BYN
IRGSL4062DPBF, IGBT 600В 48А TO262
3-5 дней, 11 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-262
Добавить к сравнению
3-5 дней,
11 шт.
3.60 BYN ×
от 3 шт. — 3.55 BYN
IRGP4740DPBF, Транзистор, IGBT, 650В 40А [TO-247]
3-4 недели, 9 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen 6.2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
3-4 недели,
9 шт.
10.50 BYN ×
от 10 шт. — 10.32 BYN
IRGS4062DPBF, IGBT 600В 48А D2Pak
6-7 дней, 130 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: d2-pak
Добавить к сравнению
6-7 дней,
130 шт.
12 BYN ×
от 7 шт. — 7.42 BYN