+375 17 317-59-11
+375 17 317-59-14
Электронная почта

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)12 из 310

Спецпредложение
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Гомель
Минск
Цена
Мин. цена BYN
Макс. цена BYN
 
 
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]
300 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247g03
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
300 шт.
7.60 BYN ×
от 10 шт. — 7.45 BYN
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
2682 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
2682 шт.
9.90 BYN ×
от 15 шт. — 9.76 BYN
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
367 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
367 шт.
9.50 BYN ×
от 15 шт. — 9.31 BYN
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
380 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
380 шт.
6.30 BYN ×
от 15 шт. — 6.17 BYN
IGW60T120FKSA1 [G60T120], Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
647 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
647 шт.
15 BYN ×
от 3 шт. — 14.66 BYN
IKW15N120H3 [K15H1203], Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]
451 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
451 шт.
11 BYN ×
от 15 шт. — 10.79 BYN
IKW30N60H3 (K30H603), Транзистор 600V 60A 187W [TO-247-3]
1514 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 187
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 207
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
1514 шт.
8.20 BYN ×
от 15 шт. — 8.07 BYN
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3]
279 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Технология/семейство: powermesh
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
279 шт.
5.60 BYN ×
от 15 шт. — 5.48 BYN
IKW25N120H3, Транзистор
4-6 дней, 28 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 326
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 277
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
4-6 дней,
28 шт.
20.50 BYN ×
от 2 шт. — 18.28 BYN
IRG7PH44K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 25А TO-247
4-6 дней, 20 шт.
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen7
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 320
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 75
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 315
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
4-6 дней,
20 шт.
28 BYN ×
IRG7PH37K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 15А TO-247
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen7
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 45
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 216
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 240
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247ac
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
По запросу
6.30 BYN ×
от 2 шт. — 6.21 BYN
IRG7PSH54K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 50А Super-247
По запросу
Пр-во: IR
Технология/семейство: gen7
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 520
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 110
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: super-247
Добавить к сравнению
быстрый просмотр
По запросу
16 BYN ×
от 2 шт. — 15.52 BYN