Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT

IGBT модули

_{134 из 161}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт 53 шт. Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-34MM	быстрый просмотр	53 шт.	400 BYN 270 BYN ×	от 3 шт. — 242.11 BYN
FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт 45 шт. Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 440 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1450 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-62MM	быстрый просмотр	45 шт.	730 BYN ×	от 3 шт. — 698.25 BYN
FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт 51 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 39 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 175 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-EASY2B	быстрый просмотр	51 шт.	410 BYN 155 BYN ×	от 3 шт. — 133.05 BYN
FP75R12KE3, Модуль IGBT 1200V 105A 355Вт. 28 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 355 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-ECONO3	быстрый просмотр	28 шт.	1 220 BYN ×	от 3 шт. — 1 207.26 BYN
SKIIP23NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2] 43 шт. Бренд: Semikron Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: MiniSKiiP 2	быстрый просмотр	43 шт.	530 BYN ×	от 5 шт. — 522.95 BYN
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2] 77 шт. Бренд: Semikron Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+170 Корпус: SEMITRANS 2	быстрый просмотр	77 шт.	360 BYN ×	от 5 шт. — 351.44 BYN
BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт. [EOL] 15 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 72 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: ECONOPACK 2K	быстрый просмотр	15 шт.	640 BYN ×	от 2 шт. — 597.33 BYN
BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А. [EOL] 24 шт. Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 625 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: HALF-BRIDGE 1	быстрый просмотр	24 шт.	490 BYN 400 BYN ×	от 2 шт. — 347.12 BYN
FF150R12RT4, Модуль IGBT 1200В 150А 790Вт. [EOL] 6 шт. Бренд: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 790 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-34MM	быстрый просмотр	6 шт.	235 BYN ×	от 10 шт. — 228.07 BYN
FP06R12W1T4B3, Модуль: IGBT, диод/транзистор, 3-фазный диодный мост, Ic: 6А, 94Вт 3 шт. Бренд: Infineon	быстрый просмотр	3 шт.	250 BYN 210 BYN ×	от 5 шт. — 207.12 BYN
FP25R12KT3, Модуль IGBT 1200В 25А. 16 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-ECONO2C	быстрый просмотр	16 шт.	310 BYN ×	от 5 шт. — 290.53 BYN
FS75R12KE3, Модуль IGBT 1200V 105A 350Вт 17 шт. Бренд: Infineon Структура: 3-ф инвертор Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: AG-ECONO2B	быстрый просмотр	17 шт.	640 BYN 440 BYN ×	от 3 шт. — 381.58 BYN
PM50RSA060, 7 IGBT 600V 50A 3-gen (S-Series) 2 шт. Бренд: Mitsubishi Структура: 3-фазный мост+тормозной транзистор Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 138 Рабочая температура (Tj), °C: -20…+150	быстрый просмотр	2 шт.	390 BYN 350 BYN ×	от 5 шт. — 347.61 BYN
SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3] 31 шт. Бренд: Semikron Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+ выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: MiniSKiiP 3	быстрый просмотр	31 шт.	810 BYN ×	от 5 шт. — 787.09 BYN
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93] 17 шт. Бренд: Semikron Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: D-93	быстрый просмотр	17 шт.	360 BYN ×	от 2 шт. — 337.79 BYN
standard lid for MiniSKiiP II housing size 3, Крышка для SKIIP35NAB126V1 26 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	26 шт.	3.20 BYN ×	от 5 шт. — 3.16 BYN
DFI600HF12I4ME1 7-8 дней, 16 шт. Бренд: Leapers Semiconducto	быстрый просмотр	7-8 дней, 16 шт.	580 BYN ×	от 2 шт. — 550 BYN от 4 шт. — 530 BYN от 10 шт. — 490 BYN
FF200R12KT4HOSA1, , IGBT модуль , 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm 7 дней, 7 шт. Бренд: Infineon	быстрый просмотр	7 дней, 7 шт.	310 BYN ×	от 2 шт. — 295 BYN
SEMIX341D16S 7-8 дней, 9 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	7-8 дней, 9 шт.	500 BYN ×	от 2 шт. — 460 BYN от 4 шт. — 440 BYN
SKM50GB12T4 7-8 дней, 3 шт. Бренд: Semikron	быстрый просмотр	7-8 дней, 3 шт.	240 BYN ×	от 2 шт. — 205 BYN

IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике.

IGBT-модули работают с напряжением в диапазоне от 600 до 6500 В и токами от 50 до 3500 А.

Модули IGBT могут иметь разное исполнения, начиная от одиночных силовых ключей и чопперов, заканчивая полными трёхфазными мостами и однофазными трёхуровневыми схемами.

Кристаллы IGBT-модулей изготавливаются с использованием самых передовых полупроводниковых технологий, которые позволяют получать высокую температуру перехода, низкое падение напряжений и низкую коммутационную потерю, благодаря чему повышается надёжность данных модулей.

Посмотреть и купить товар из группы «IGBT модули» вы можете в наших магазинах в Минске и Гомеле. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.

IGBT модули

ООО «ЧИП и ДИП»