Главная › Электронные компоненты › Полупроводниковые модули › IGBT

IGBT модули

₈₆

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	BYN
Макс. цена	BYN

BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт Пр-во: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 72 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: ECONOPACK 2K	быстрый просмотр		1 130 BYN × от 3 шт. — 1 113.36 BYN
BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А Пр-во: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 625 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: HALF-BRIDGE 1	быстрый просмотр		790 BYN × от 3 шт. — 778.92 BYN
FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт Пр-во: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-34MM	быстрый просмотр		450 BYN × от 3 шт. — 440 BYN
FF150R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 150A 790Вт Пр-во: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 790 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-34MM	быстрый просмотр		710 BYN × от 3 шт. — 637.64 BYN
FF300R12KE3HOSA1, Модуль IGBT 1200V 440A 1450Вт Пр-во: Infineon Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 440 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1450 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-62MM	быстрый просмотр		660 BYN × от 3 шт. — 640 BYN
FP25R12KT3BOSA1, Модуль IGBT 1200В 25А Пр-во: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-ECONO2C	быстрый просмотр		710 BYN × от 3 шт. — 690.16 BYN
FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт Пр-во: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 39 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 175 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: AG-EASY2B	быстрый просмотр		460 BYN × от 3 шт. — 449.84 BYN
FP75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 355Вт Пр-во: Infineon Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 355 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+125 Корпус: AG-ECONO3	быстрый просмотр		1 390 BYN × от 3 шт. — 1 376.28 BYN
FS75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 350Вт Пр-во: Infineon Структура: 3-ф инвертор Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 105 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Рабочая температура (Tj), °C: +150(max) Корпус: AG-ECONO2B	быстрый просмотр		860 BYN × от 3 шт. — 840.64 BYN
SKIIP23NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 2] 4-6 дней, 21 шт. Пр-во: Semikron Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: MiniSKiiP 2	быстрый просмотр	4-6 дней, 21 шт.	610 BYN × от 5 шт. — 596.16 BYN
SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3] 4-6 дней, 5 шт. Пр-во: Semikron Структура: 3-ф инвертор+тормозной транзистор+выпрямитель Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: MiniSKiiP 3	быстрый просмотр	4-6 дней, 5 шт.	920 BYN × от 5 шт. — 897.28 BYN
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93] 4-6 дней, 45 шт. Пр-во: Semikron Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: D-93	быстрый просмотр	4-6 дней, 45 шт.	810 BYN × от 5 шт. — 790.56 BYN
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2] 4-6 дней, 117 шт. Пр-во: Semikron Структура: полумост Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+170 Корпус: SEMITRANS 2	быстрый просмотр	4-6 дней, 117 шт.	410 BYN × от 5 шт. — 400.64 BYN
CM450DX-24T#300G, IGBT модуль 450A 1200В T-серии Пр-во: Mitsubishi	быстрый просмотр		400 BYN × от 5 шт. — 388 BYN
CM50MXA-24S, 3-ф+тормозн+мост 50A 1200V NX6 Пр-во: Mitsubishi	быстрый просмотр		225 BYN × от 5 шт. — 222.40 BYN
standard lid for MiniSKiiP II housing size 3, Крышка для SKIIP35NAB126V1 4-6 дней, 25 шт. Пр-во: Semikron	быстрый просмотр	4-6 дней, 25 шт.	3.60 BYN ×
Модуль skm400gb066d 7-9 дней, 3 шт. Пр-во: Semikron		7-9 дней, 3 шт.	460 BYN ×
SKM150GB12T4 5-8 дней, 59 шт. Пр-во: Semikron	быстрый просмотр	5-8 дней, 59 шт.	245 BYN × от 4 шт. — 220 BYN от 8 шт. — 205 BYN от 24 шт. — 200 BYN
SKM50GB12T4 5-8 дней, 5 шт. Пр-во: Semikron	быстрый просмотр	5-8 дней, 5 шт.	235 BYN × от 2 шт. — 200 BYN от 5 шт. — 180 BYN
B82721A2152N001 6-9 дней, 660 шт. Пр-во: TDK	быстрый просмотр	6-9 дней, 660 шт.	15.50 BYN × от 4 шт. — 13 BYN от 16 шт. — 12.50 BYN от 28 шт. — 12 BYN

IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике.

IGBT-модули работают с напряжением в диапазоне от 600 до 6500 В и токами от 50 до 3500 А.

Модули IGBT могут иметь разное исполнения, начиная от одиночных силовых ключей и чопперов, заканчивая полными трёхфазными мостами и однофазными трёхуровневыми схемами.

Кристаллы IGBT-модулей изготавливаются с использованием самых передовых полупроводниковых технологий, которые позволяют получать высокую температуру перехода, низкое падение напряжений и низкую коммутационную потерю, благодаря чему повышается надёжность данных модулей.

Посмотреть и купить товар из группы «IGBT модули» вы можете в наших магазинах в Минске и Гомеле. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.

IGBT модули

ООО «ЧИП и ДИП»