Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Конфигурация
Тип канала
Кол-во каналов
Тип управляемого затвора
Напряжение питания, В
Логическое напряжение (VIL), В
Логическое напряжение (VIH), В
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
Тип входа
Максимальное напряжение смещения, В
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
Рабочая температура, °C
Корпус
Наличие в магазинах
Минск
Гомель
Цена
Мин. цена BYN
Макс. цена BYN
 
 
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8]
78 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.6…13.2
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 35
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11
Рабочая температура, °C: 0…+150 (TJ)
Корпус: DFN-8 EP (3x3)
быстрый просмотр
78 шт.
1.60 BYN ×
от 5 шт. — 1.45 BYN
FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"]
536 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 38
Логическое напряжение (VIH), В: 2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9
Рабочая температура, °C: -40…+125 (TA)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
536 шт.
1.45 BYN ×
от 5 шт. — 1.41 BYN
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8]
654 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
654 шт.
2.55 BYN ×
от 5 шт. — 2.45 BYN
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8]
131 шт.
Пр-во: Fairchild
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
131 шт.
2.80 BYN ×
от 5 шт. — 2.69 BYN
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14]
229 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: SOP-14 (0.209 inch)
быстрый просмотр
229 шт.
2.35 BYN ×
от 5 шт. — 2.31 BYN
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
272 шт.
Пр-во: Fairchild
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
272 шт.
1.90 BYN ×
от 5 шт. — 1.86 BYN
IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14]
527 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: dip-14 (0.300 inch)
быстрый просмотр
527 шт.
7.70 BYN ×
от 5 шт. — 7.62 BYN
IR2010SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-16W]
244 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-16 (0.295 inch)
быстрый просмотр
244 шт.
7 BYN ×
от 5 шт. — 6.90 BYN
IR2011SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N]
241 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: High-Side/Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.7
Логическое напряжение (VIH), В: 2.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 200
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 35
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
241 шт.
5.20 BYN ×
от 5 шт. — 5.14 BYN
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
1961 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
1961 шт.
2.25 BYN ×
от 5 шт. — 2.21 BYN
IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
1184 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1184 шт.
2.15 BYN ×
от 5 шт. — 2.03 BYN
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
1256 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1256 шт.
2 BYN ×
от 5 шт. — 1.97 BYN
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
147 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
147 шт.
3.50 BYN ×
от 5 шт. — 3.45 BYN
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
362 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
362 шт.
3.30 BYN ×
от 5 шт. — 3.17 BYN
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
361 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
361 шт.
3.30 BYN ×
от 5 шт. — 3.17 BYN
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]
111 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
111 шт.
2.70 BYN ×
от 5 шт. — 2.66 BYN
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
1069 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
1069 шт.
2.25 BYN ×
от 5 шт. — 2.17 BYN
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
1269 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1269 шт.
2.25 BYN ×
от 5 шт. — 2.21 BYN
IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8]
692 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
692 шт.
2 BYN ×
от 5 шт. — 1.90 BYN
IR2106SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
131 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
131 шт.
4 BYN ×
от 5 шт. — 3.93 BYN
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60