Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT

_{3202 из 3331}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

1EDN7512B, Драйвер не-/инвертирующий сдвоенный выход верхнего и нижнего плеча полумостовой [SOT-23-5] 5 дней, 892 шт. Бренд: Infineon	быстрый просмотр	5 дней, 892 шт.	2.15 BYN ×	от 15 шт. — 2.04 BYN
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8] 5 дней, 284 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.6…13.2 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 35 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DFN-8 EP(3x3)	быстрый просмотр	5 дней, 284 шт.	4.60 BYN ×	от 5 шт. — 4.18 BYN
FAN3100TSX, Драйвер Low-Side Single 2 A High-Speed [SOT-23-5] 1514 шт. Бренд: Fairchild Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 13 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: SOT-23-5	быстрый просмотр	1514 шт.	9.50 BYN ×	от 5 шт. — 9.02 BYN
FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"] 235 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -40…+125(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	235 шт.	12 BYN ×	от 5 шт. — 11.40 BYN
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8] 5 дней, 14 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 14 шт.	6.10 BYN ×	от 5 шт. — 5.75 BYN
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] 5 дней, 98 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 98 шт.	9.60 BYN ×	от 5 шт. — 9.33 BYN
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14] 8 дней, 1 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: SOP-14 (0.209 inch)	быстрый просмотр	8 дней, 1 шт.	13 BYN ×	от 5 шт. — 12.35 BYN
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8] 5 дней, 271 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 271 шт.	6.90 BYN ×	от 5 шт. — 6.77 BYN
HIP4082IBZT, Полумостовой драйвер, 80В, 1.25А пик [SO-16] 5 дней, 14 шт. Бренд: Intersil Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: soic-16(0.154 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 14 шт.	36 BYN ×	от 15 шт. — 34.60 BYN
HIP4082IPZ, Полумостовой драйвер, [DIP-16] 5 дней, 64 шт. Бренд: Intersil Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: DIP-16(0.300 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 64 шт.	45 BYN ×	от 15 шт. — 43.26 BYN
IR1167BSTRPBF, Интеллектуальный драйвер управления синхронным выпрямителем, [SOIC-8.][EOL] 5 дней, 160 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…18 Логическое напряжение (VIL), В: 2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.15 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 7 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 18 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 10 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 160 шт.	10.50 BYN ×	от 5 шт. — 9.96 BYN
IR2010PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [DIP-14] 5 дней, 878 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 878 шт.	20.50 BYN ×	от 5 шт. — 20.04 BYN
IR2010STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SOIC-16W.] 79 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	79 шт.	20 BYN ×	от 5 шт. — 19.65 BYN
IR2011STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8N.] 5 дней, 105 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.7 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 35 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 105 шт.	15 BYN ×	от 5 шт. — 14.32 BYN
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8.] 1607 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1607 шт.	6.20 BYN ×	от 5 шт. — 6 BYN
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8.] 1098 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1098 шт.	2.90 BYN ×	от 10 шт. — 2.68 BYN
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8] 5 дней, 167 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 167 шт.	8.60 BYN ×	от 5 шт. — 8.32 BYN
IR2102STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8.] 232 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	232 шт.	7.90 BYN ×	от 5 шт. — 7.65 BYN
IR2103PBF, Полумостовой драйвер [DIP-8.] [EOL] 187 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	187 шт.	6.40 BYN ×	от 5 шт. — 6.25 BYN
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8.] 5 дней, 218 шт. Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	5 дней, 218 шт.	4.40 BYN ×	от 5 шт. — 3.96 BYN

Драйверы MOSFET и IGBT

ООО «ЧИП и ДИП»