Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) UMW

624 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Минск
Гомель
Цена, BYN
Мин. цена
Макс. цена
100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252.]
6594 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.8 мОм/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Корпус: dpak
быстрый просмотр
6594 шт.
0.76 BYN ×
от 50 шт. — 0.68 BYN
10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F.]
1255 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
1255 шт.
1.85 BYN ×
от 50 шт. — 1.64 BYN
12N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А [TO-252]
62 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 114 мОм/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 96
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: dpak
быстрый просмотр
62 шт.
0.64 BYN ×
от 100 шт. — 0.56 BYN
15N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А [TO-252.]
2272 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 95 мОм/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: dpak
быстрый просмотр
2272 шт.
0.76 BYN ×
от 50 шт. — 0.66 BYN
1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]
4382 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
4382 шт.
0.40 BYN ×
от 50 шт. — 0.35 BYN
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252.]
1517 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: dpak
быстрый просмотр
1517 шт.
0.52 BYN ×
от 50 шт. — 0.46 BYN
1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223]
2059 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
2059 шт.
0.48 BYN ×
от 50 шт. — 0.43 BYN
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252.]
666 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: dpak
быстрый просмотр
666 шт.
0.52 BYN ×
от 50 шт. — 0.45 BYN
20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252.]
6310 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Корпус: dpak
быстрый просмотр
6310 шт.
0.60 BYN ×
от 50 шт. — 0.53 BYN
25N06, Транзистор N-MOSFET 60В 25А [TO-252.]
2640 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2
Корпус: dpak
быстрый просмотр
2640 шт.
0.72 BYN ×
от 50 шт. — 0.64 BYN
2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223.]
3099 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
3099 шт.
0.52 BYN ×
от 50 шт. — 0.47 BYN
2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А 8Вт [TO-252.]
4420 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: dpak
быстрый просмотр
4420 шт.
0.56 BYN ×
от 50 шт. — 0.49 BYN
2N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [SOT-223.]
3203 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
3203 шт.
0.48 BYN ×
от 50 шт. — 0.44 BYN
2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252.]
907 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: dpak
быстрый просмотр
907 шт.
0.60 BYN ×
от 50 шт. — 0.53 BYN
2N7002, Транзистор N-MOSFET 60В 115мА [SOT-23-3.]
9162 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.225
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
9162 шт.
0.11 BYN ×
от 100 шт. — 0.07 BYN
2N7002B, Транзистор N-MOSFET 60В 115мА [SOT-23-3.]
7438 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.225
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
7438 шт.
0.08 BYN ×
от 100 шт. — 0.06 BYN
30N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]
1689 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.9 мОм/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Корпус: dpak
быстрый просмотр
1689 шт.
0.68 BYN ×
от 100 шт. — 0.59 BYN
30N06, Транзистор N-MOSFET 60В 30А [TO-252]
2840 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Корпус: dpak
быстрый просмотр
2840 шт.
0.64 BYN ×
от 50 шт. — 0.58 BYN
быстрый просмотр
4854 шт.
0.48 BYN ×
от 100 шт. — 0.40 BYN
35N06, Транзистор N-MOSFET 60В 35А [TO-252]
1208 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2
Корпус: dpak
быстрый просмотр
1208 шт.
0.88 BYN ×
от 50 шт. — 0.82 BYN
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60