Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Минск
Гомель
Цена, BYN
Мин. цена
Макс. цена
100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]
3901 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.038 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
3901 шт.
0.67 BYN ×
от 50 шт. — 0.59 BYN
10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F]
1449 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
1449 шт.
2.15 BYN ×
от 50 шт. — 1.97 BYN
12N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А [TO-252]
3169 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.114 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 96
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
3169 шт.
0.67 BYN ×
от 100 шт. — 0.63 BYN
15N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А [TO-252]
2851 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.095 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
2851 шт.
0.71 BYN ×
от 50 шт. — 0.63 BYN
1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]
4798 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
4798 шт.
0.39 BYN ×
от 50 шт. — 0.32 BYN
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]
7 дней, 1977 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
7 дней,
1977 шт.
0.46 BYN ×
от 50 шт. — 0.41 BYN
1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223]
7 дней, 2302 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
7 дней,
2302 шт.
0.43 BYN ×
от 50 шт. — 0.38 BYN
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252]
7 дней, 2201 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
7 дней,
2201 шт.
0.46 BYN ×
от 50 шт. — 0.40 BYN
20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252]
5278 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
5278 шт.
0.53 BYN ×
от 50 шт. — 0.47 BYN
25N06, Транзистор N-MOSFET 60В 25А [TO-252]
7 дней, 1568 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
7 дней,
1568 шт.
0.64 BYN ×
от 50 шт. — 0.56 BYN
2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223]
7 дней, 4160 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
7 дней,
4160 шт.
0.57 BYN ×
от 50 шт. — 0.50 BYN
2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [TO-252]
7 дней, 3112 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
7 дней,
3112 шт.
0.50 BYN ×
от 50 шт. — 0.43 BYN
2N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [SOT-223]
7 дней, 4910 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
7 дней,
4910 шт.
0.46 BYN ×
от 50 шт. — 0.41 BYN
2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252]
7 дней, 1138 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
7 дней,
1138 шт.
0.53 BYN ×
от 50 шт. — 0.47 BYN
2N7002, Транзистор N-MOSFET 60В 115мА [SOT-23-3]
17333 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.225
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
17333 шт.
0.09 BYN ×
от 100 шт. — 0.05 BYN
2N7002B, Транзистор N-MOSFET 60В 115мА [SOT-23-3]
7 дней, 8682 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.225
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
7 дней,
8682 шт.
0.08 BYN ×
от 100 шт. — 0.05 BYN
30N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]
7 дней, 3300 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0039 мОм/15А/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
7 дней,
3300 шт.
0.85 BYN ×
от 100 шт. — 0.77 BYN
30N06, Транзистор N-MOSFET 60В 30А [TO-252]
2408 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/15А/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
2408 шт.
0.64 BYN ×
от 50 шт. — 0.59 BYN
35N06, Транзистор N-MOSFET 60В 35А [TO-252]
1883 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/19А/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
1883 шт.
0.78 BYN ×
от 50 шт. — 0.72 BYN
40N06, Транзистор N-MOSFET 60В 40А [TO-252]
3431 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/30А/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Корпус: TO-252/DPAK
быстрый просмотр
3431 шт.
0.74 BYN ×
от 50 шт. — 0.68 BYN
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60

Транзисторы полевые – полупроводниковые приборы, через которые протекают потоки носителей электрического заряда. Эти потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором (сток и исток – внешние слои полупроводников, затвор – внутренний).

Принцип работы полевых транзисторов основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа (электроны или дырки), в отличие от биполярных транзисторов, у которых два типа носителей заряда.

Посмотреть и купить товар из группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)» вы можете в наших магазинах в Минске и Гомеле. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.