Главная › Каталог › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

Транзисторы MOSFET и IGBT управляют мощной нагрузкой в цепях постоянного и переменного тока. Однако сами по себе они не могут работать напрямую от сигнала микроконтроллера, который слишком слаб для эффективного и быстрого переключения.

На помощь приходит драйвер - специализированная микросхема, которая выполняет роль усилителя. Основная задача модуля - обеспечить мощный и кратковременный импульс тока для быстрой зарядки и разрядки емкости затвора транзистора. Это критически важно для минимизации потерь мощности и перегрева. Использование драйвера повышает управляемость и надежность всей системы, а также защищает микроконтроллер от опасных всплесков напряжения и помех.

Виды

Неизолированные драйверы недорогие и применяются в простых конфигурациях. Изолированные модули обеспечивают обособление управляющей схемы от силового транзистора. Они незаменимы при повышенных требованиях к безопасности.

Драйверы Low-side управляют транзисторами, подключенными к «земле». Модули High-side работают с устройствами, подсоединенными к шине питания. Полномостовые (half-bridge, full-bridge) драйверы интегрируют управление несколькими ключами для построения мостовых схем.

Как выбрать драйвер

При покупке следуйте простому алгоритму:

Определите задачи устройства. Для частотных преобразователей, сварочных инверторов или мощных импульсных блоков питания требуются драйверы с высоким пиковым током (2А и более) и надежной развязкой. Для управления простыми двигателями или слаботочными реле может хватить более простых и доступных модулей.
Рассчитайте необходимый ток. Он зависит от заряда затвора (Qg) транзистора и требуемой частоты переключения.
Проверьте выходное напряжение. Убедитесь, что оно находится в допустимом диапазоне для вашего MOSFET/IGBT (обычно +15...+20 В для включения и 0/-5 В для выключения).
Оцените систему безопасности. Для ответственных задач наличие встроенных защит от перегрузки, короткого замыкания и перегрева является обязательным.

Частые ошибки при выборе и эксплуатации драйверов:

Выбор модуля со слишком слабым выходным током. Это вызывает медленное переключение, рост динамических потерь и перегрев силового ключа.
Использование неизолированного драйвера в топологиях с плавающим потенциалом приведет к некорректной работе и поломке компонентов.
Игнорирование «мертвого времени». В мостовых схемах отсутствие паузы между закрытием одного ключа и открытием другого вызывает сквозные токи и мгновенное разрушение транзисторов.
Плохая разводка печатной платы. Длинные проводники от драйвера к затвору добавляют паразитную индуктивность, что может привести к возникновению опасных выбросов напряжения и самопроизвольному открытию транзистора.

Надежный поставщик

В интернет-магазине «ЧИП и ДИП» можно купить драйверы под любые требования, включая как популярные интегральные схемы (IC), так и готовые силовые модули с доставкой. Наши специалисты помогут разобраться в характеристиках и заказать оптимальную модель, подходящую по цене.

Обращайтесь к нам, чтобы сделать вашу силовую электронику не только мощной, но и надежной. Мы гарантируем быструю обработку заказа и оперативную доставку в Москве и других регионах России.

Посмотреть и купить товар из группы «Драйверы MOSFET и IGBT» вы можете в наших магазинах в Минске и Гомеле. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.

1EDN7512B, Драйвер MOSFET, 1-канал, Low-Side, не-/инвертирующий, 4/8А, 4.5…20В [SOT-23-5.] 1244 шт. Бренд: Infineon	быстрый просмотр	1244 шт.	2.10 BYN ×	от 15 шт. — 1.84 BYN
2ED020I12-FI, Драйвер IGBT сдвоенный [PG-DSO-18-2] 160 шт. Бренд: Infineon	быстрый просмотр	160 шт.	13.50 BYN ×	от 15 шт. — 11.76 BYN
ADP3110AKCPZ-RL, Драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание 4.6В-13.2В, 1А, 20нс, [DFN-8] 108 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.6…13.2 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 35 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 11 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DFN-8 EP(3x3)	быстрый просмотр	108 шт.	5.90 BYN ×	от 5 шт. — 5.36 BYN
DGD2181S8-13, Драйвер IGBT/N-MOSFET, 2-канала, Half-Bridge, неинвертирующий, 1.9/2.3А, 10…20В [SOIC-8.] [EOL] 183 шт. Бренд: Diodes	быстрый просмотр	183 шт.	7.20 BYN ×	от 10 шт. — 6.80 BYN
EG2106, Драйвер IGBT/MOSFET, High/Low-Side, 0.3/0.6А, 10…20В [SOIC-8.] 154 шт. Бренд: EG Micro	быстрый просмотр	154 шт.	0.56 BYN ×	от 30 шт. — 0.53 BYN
EG2181D, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2/2.5А, 10…20В [SOIC-8.] 268 шт. Бренд: EG Micro	быстрый просмотр	268 шт.	1.80 BYN ×	от 10 шт. — 1.65 BYN
FAN3100CSX, Драйвер N-MOSFET, 1-канал, Low-Side, не-/инвертирующий, 3/3А, 4.5…18В [SOT-23-5.] 270 шт. Бренд: ON Semiconductor Корпус: SOT23-5	быстрый просмотр	270 шт.	2.40 BYN ×	от 10 шт. — 2.28 BYN
FAN3100TSX, Драйвер Low-Side Single 2 A High-Speed [SOT-23-5] 2076 шт. Бренд: Fairchild Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 13 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: SOT-23-5	быстрый просмотр	2076 шт.	5.10 BYN ×	от 5 шт. — 4.56 BYN
FAN3111CSX, Драйвер N-MOSFET Low-Side 2A [SOT-23-5] 1482 шт. Бренд: UMW Конфигурация: Low-Side Тип канала: Одиночный Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…25 Логическое напряжение (VIL), В: 4.5 Логическое напряжение (VIH), В: 7.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 15 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+125 Корпус: SOT-23-5	быстрый просмотр	1482 шт.	1.30 BYN ×	от 100 шт. — 1.20 BYN
FAN3224TMX, Высокоскоростной MOSFET драйвер, 2-канальный, Low-Side, пиковый выходной ток 4А [SOIC-8-0.154"] 432 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 12 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -40…+125(TA) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	432 шт.	8.90 BYN ×	от 5 шт. — 8 BYN
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8] 102 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	102 шт.	7.80 BYN ×	от 5 шт. — 7.36 BYN
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8] 161 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	161 шт.	7.30 BYN ×	от 5 шт. — 6.56 BYN
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14.] 97 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 15…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.2 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ) Корпус: SOP-14 (0.209 inch)	быстрый просмотр	97 шт.	9.60 BYN ×	от 5 шт. — 8.68 BYN
FAN7842MX, Драйвер для управления затвором верхнего и нижнего уровней, [SO-8] 1474 шт. Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 60 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1474 шт.	5.10 BYN ×	от 5 шт. — 4.56 BYN
FD2103S, Драйвер IGBT/N-MOSFET, 2-канала, Half-Bridge, не-/инвертирующий, 1/1А, 10…20В [SOIC-8.] 190 шт. Бренд: Fortior Tech	быстрый просмотр	190 шт.	0.48 BYN ×	от 35 шт. — 0.46 BYN
FD6288Q, Драйвер IGBT/MOSFET, Half-Bridge, 1.5/1.8А, 4.8…20В [QFN-24_4x4.] 2462 шт. Бренд: Fortior Tech	быстрый просмотр	2462 шт.	8.80 BYN 2.55 BYN ×	от 10 шт. — 2.38 BYN
FD6288T, Драйвер IGBT/MOSFET, Half-Bridge, 1.5/1.8А, 4.8…20В [TSSOP-20.] 114 шт. Бренд: Fortior Tech	быстрый просмотр	114 шт.	2.30 BYN ×	от 10 шт. — 2.17 BYN
HIP4082IBZT, Полумостовой драйвер, 80В, 1.25А пик [SO-16] 195 шт. Бренд: Intersil Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: soic-16(0.154 inch)	быстрый просмотр	195 шт.	46 BYN ×	от 15 шт. — 43.40 BYN
HIP4082IPZ, Полумостовой драйвер, [DIP-16] 20 шт. Бренд: Intersil Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 4 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 8.5…15 Логическое напряжение (VIL), В: 1 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 95 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 9 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 9 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: DIP-16(0.300 inch)	быстрый просмотр	20 шт.	57 BYN ×	от 15 шт. — 54.28 BYN
HX34152-P, Драйвер MOSFET х 2, 18В, 1.5A [DIP-8.] (=MC34152PG) 416 шт. Бренд: ZHHXDZ	быстрый просмотр	416 шт.	3.80 BYN ×	от 15 шт. — 3.60 BYN

Драйверы MOSFET и IGBT

Виды

Как выбрать драйвер

Надежный поставщик

ООО «ЧИП и ДИП»