Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
|
19483 шт.
Бренд: LGE
Серия: 1N582хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 3
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.525
Обратный ток утечки, мкА: 500
Емкость, пФ: 200
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: DO-201AD/DO-27
|
 быстрый просмотр |
19483 шт. |
0.40 BYN × |
от 100 шт. — 0.36 BYN
|
|
4483 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS40
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.2
Емкость, пФ: 5
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
 быстрый просмотр |
4483 шт. |
0.16 BYN × |
от 100 шт. — 0.14 BYN
|
|
4232 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS40
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, последовательное соединение
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.2
Емкость, пФ: 5
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
быстрый просмотр |
4232 шт. |
0.16 BYN × |
от 100 шт. — 0.14 BYN
|
|
4718 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS40
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий катод
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.2
Емкость, пФ: 5
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
быстрый просмотр |
4718 шт. |
0.16 BYN × |
от 100 шт. — 0.14 BYN
|
|
4864 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS40
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий анод
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.2
Емкость, пФ: 5
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
быстрый просмотр |
4864 шт. |
0.16 BYN × |
от 100 шт. — 0.14 BYN
|
|
5910 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS70
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 70
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.07
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.1
Емкость, пФ: 2
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
быстрый просмотр |
5910 шт. |
0.17 BYN × |
от 100 шт. — 0.16 BYN
|
|
4308 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS70
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, последовательное соединение
Максимальное обратное напряжение (В): 70
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.07
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.1
Емкость, пФ: 2
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
быстрый просмотр |
4308 шт. |
0.17 BYN × |
от 100 шт. — 0.16 BYN
|
|
5525 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS70
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий катод
Максимальное обратное напряжение (В): 70
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.07
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.1
Емкость, пФ: 2
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
быстрый просмотр |
5525 шт. |
0.17 BYN × |
от 100 шт. — 0.16 BYN
|
|
5926 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS70
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий анод
Максимальное обратное напряжение (В): 70
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.07
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.1
Емкость, пФ: 2
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
быстрый просмотр |
5926 шт. |
0.17 BYN × |
от 100 шт. — 0.16 BYN
|
|
1364 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAS8хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.8
Обратный ток утечки, мкА: 2
Емкость, пФ: 10
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: MINIMELF
|
 быстрый просмотр |
1364 шт. |
0.10 BYN × |
от 100 шт. — 0.09 BYN
|
|
383 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAT4xx
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.4
Обратный ток утечки, мкА: 0.5
Емкость, пФ: 7
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: DO-35_Glass
|
 быстрый просмотр |
383 шт. |
0.18 BYN × |
от 100 шт. — 0.11 BYN
|
|
5 дней, 11 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAT4xx
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.45
Обратный ток утечки, мкА: 0.5
Емкость, пФ: 7
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: DO-35_Glass
|
быстрый просмотр |
5 дней, 11 шт. |
0.10 BYN × |
от 100 шт. — 0.08 BYN
|
|
2871 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAT4xx
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.35
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.9
Обратный ток утечки, мкА: 25
Емкость, пФ: 12
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: DO-35_Glass
|
быстрый просмотр |
2871 шт. |
0.10 BYN × |
от 100 шт. — 0.08 BYN
|
|
4901 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAT54
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, последовательное соединение
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 2
Емкость, пФ: 10
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: sot-323
|
быстрый просмотр |
4901 шт. |
0.17 BYN × |
от 100 шт. — 0.16 BYN
|
|
3008 шт.
Бренд: LGE
Серия: BAT8xx
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.8
Обратный ток утечки, мкА: 2
Емкость, пФ: 10
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: DO-35_Glass
|
быстрый просмотр |
3008 шт. |
0.10 BYN × |
от 100 шт. — 0.09 BYN
|
|
441 шт.
Бренд: LGE
Серия: BYS10
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 45
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1.5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.5
Обратный ток утечки, мкА: 500
Рабочая температура, °C: -55…+150
Корпус: DO-214AC/SMA
|
 быстрый просмотр |
441 шт. |
0.36 BYN × |
от 10 шт. — 0.32 BYN
|
|
5 дней, 1 шт.
Бренд: LGE
Серия: CH3Dxx
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: Карбид кремния
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 1200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 39
Максимальное прямое напряжение ,В: 1.8
Обратный ток утечки, мкА: 50
Емкость, пФ: 103
Рабочая температура, °C: -55…+175
Корпус: TO-247-2
|
 быстрый просмотр |
5 дней, 1 шт. |
31 BYN × |
от 50 шт. — 27.76 BYN
|
|
2-3 дня, 25 шт.
Бренд: LGE
Серия: LGE3Dxx
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: Карбид кремния
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 10
Максимальное прямое напряжение ,В: 1.7
Обратный ток утечки, мкА: 190
Емкость, пФ: 380
Рабочая температура, °C: -55…+175
Корпус: TO-220-2/TO-220AC
|
 быстрый просмотр |
2-3 дня, 25 шт. |
4.60 BYN × |
от 50 шт. — 4.20 BYN
|
|
694 шт.
Бренд: LGE
Серия: MBR10xx
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий катод
Максимальное обратное напряжение (В): 100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.85
Обратный ток утечки, мкА: 100
Рабочая температура, °C: -65…+150
Корпус: TO-220-3/TO-220AB
|
 быстрый просмотр |
694 шт. |
0.84 BYN × |
от 50 шт. — 0.72 BYN
|
|
735 шт.
Бренд: LGE
Серия: MBR10xx
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий катод
Максимальное обратное напряжение (В): 200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.88
Обратный ток утечки, мкА: 100
Рабочая температура, °C: -65…+150
Корпус: TO-220-3/TO-220AB
|
быстрый просмотр |
735 шт. |
0.88 BYN × |
от 50 шт. — 0.80 BYN
|
Диоды Шоттки – полупроводниковые устройства, имеющие при прямом включении малое падение напряжения.
В таких диодах барьером является переход между металлом и полупроводником. Такой переход имеет ряд особенных свойств: уменьшенное падение напряжения прямого включения, высокие токи утечки, очень маленькие электрические заряды обратного восстановления. Это объясняется тем, что у диодов Шоттки отсутствует диффузия, которая связана с инжекцией неосновных носителей заряда, то есть их работа основана только на основных носителях, а быстродействие таких диодов зависит от барьерной ёмкости.
Посмотреть и купить товар из группы «Диоды Шоттки» вы можете в наших магазинах в Минске и Гомеле. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.