Диоды Шоттки
более 1000
3419 шт.
Пр-во: Hottech
Серия: 10BQ
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.78
Обратный ток утечки, мкА: 500
Емкость, пФ: 42
Рабочая температура, °C: -55…+175
Корпус: do-214aa/smb
|
![]() |
3419 шт. |
0.52 BYN
×
от 100 шт. — 0.43 BYN
|
|
1975 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 10MQ
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.5
Обратный ток утечки, мкА: 500
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-214ac/sma
|
![]() |
1975 шт. |
0.36 BYN
×
от 100 шт. — 0.34 BYN
|
|
5527 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 10MQ
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.5
Обратный ток утечки, мкА: 500
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-214ac/sma
|
![]() |
5527 шт. |
0.36 BYN
×
от 100 шт. — 0.34 BYN
|
|
2479 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 10MQ
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.7
Обратный ток утечки, мкА: 500
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-214ac/sma
|
![]() |
2479 шт. |
0.36 BYN
×
от 100 шт. — 0.34 BYN
|
|
![]() |
1498 шт. |
0.44 BYN
×
от 100 шт. — 0.42 BYN
|
||
8749 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 10MQ
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.85
Обратный ток утечки, мкА: 500
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-214ac/sma
|
![]() |
8749 шт. |
0.36 BYN
×
от 100 шт. — 0.34 BYN
|
|
1944 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 15MQ
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1.5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.5
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-214ac/sma
|
![]() |
1944 шт. |
0.44 BYN
×
от 100 шт. — 0.42 BYN
|
|
1969 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 15MQ
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1.5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.5
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-214ac/sma
|
![]() |
1969 шт. |
0.44 BYN
×
от 100 шт. — 0.42 BYN
|
|
1980 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 15MQ
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 60
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1.5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.7
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-214ac/sma
|
![]() |
1980 шт. |
0.44 BYN
×
от 100 шт. — 0.42 BYN
|
|
14597 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 1N581хх
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 20
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.45
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Емкость, пФ: 110
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-204al/do-41
|
![]() |
14597 шт. |
0.14 BYN
×
от 100 шт. — 0.12 BYN
|
|
13186 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 1N581хх
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.55
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Емкость, пФ: 110
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-204al/do-41
|
![]() |
13186 шт. |
0.14 BYN
×
от 100 шт. — 0.12 BYN
|
|
Пр-во: Mic
Серия: 1N581хх
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.6
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Емкость, пФ: 110
Рабочая температура, °C: -55…+125
Корпус: do-204al/do-41
|
![]() |
0.14 BYN
×
от 100 шт. — 0.12 BYN
|
||
9813 шт.
Пр-во: YJ
Серия: 1N581хх
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.6
Обратный ток утечки, мкА: 200
Рабочая температура, °C: -55…+150
Корпус: do-204al/do-41
|
![]() |
9813 шт. |
0.14 BYN
×
от 100 шт. — 0.12 BYN
|
|
14965 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 1N581хх
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.6
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Емкость, пФ: 110
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-204al/do-41
|
![]() |
14965 шт. |
0.14 BYN
×
от 100 шт. — 0.12 BYN
|
|
5976 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 1N582хх
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 20
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 3
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.475
Обратный ток утечки, мкА: 2000
Емкость, пФ: 300
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-201ad/do-27
|
![]() |
5976 шт. |
0.32 BYN
×
от 100 шт. — 0.28 BYN
|
|
5932 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 1N582хх
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 3
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.5
Обратный ток утечки, мкА: 2000
Емкость, пФ: 300
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-201ad/do-27
|
![]() |
5932 шт. |
0.32 BYN
×
от 100 шт. — 0.28 BYN
|
|
8214 шт.
Пр-во: SUNMATE
Серия: 1N582хх
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 20
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 3
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.525
Обратный ток утечки, мкА: 2000
Емкость, пФ: 300
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-201ad/do-27
|
![]() |
8214 шт. |
0.32 BYN
×
от 100 шт. — 0.28 BYN
|
|
3987 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Серия: 1N6263
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 60
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.015
Максимальное прямое напряжение ,В: 1
Обратный ток утечки, мкА: 0.2
Емкость, пФ: 2.2
Рабочая температура, °C: -65…+200
Корпус: DO-204AH/DO-35
|
![]() |
3987 шт. |
0.24 BYN
×
от 100 шт. — 0.21 BYN
|
|
286 шт.
Пр-во: Nexperia
Серия: 1PS7
Тип устройсва: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий анод
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.8
Обратный ток утечки, мкА: 2
Рабочая температура, °C: -40…+150
Корпус: SOT-323/SC-70
|
![]() |
286 шт. |
0.64 BYN
×
от 100 шт. — 0.54 BYN
|
|
1250 шт.
Пр-во: Nexperia
Серия: 1PS7
Тип устройсва: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.8
Обратный ток утечки, мкА: 2
Емкость, пФ: 10
Рабочая температура, °C: -40…+125
Корпус: SOD-323/SC-76
|
![]() |
1250 шт. |
0.60 BYN
×
от 100 шт. — 0.53 BYN
|
Диоды Шоттки – полупроводниковые устройства, имеющие при прямом включении малое падение напряжения.
В таких диодах барьером является переход между металлом и полупроводником. Такой переход имеет ряд особенных свойств: уменьшенное падение напряжения прямого включения, высокие токи утечки, очень маленькие электрические заряды обратного восстановления. Это объясняется тем, что у диодов Шоттки отсутствует диффузия, которая связана с инжекцией неосновных носителей заряда, то есть их работа основана только на основных носителях, а быстродействие таких диодов зависит от барьерной ёмкости.
Посмотреть и купить товар из группы «Диоды Шоттки» вы можете в наших магазинах в Минске и Гомеле. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.