Диоды импульсные
157
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
|
83287 шт.
Пр-во: Diotec
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.2
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.5
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.01
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -50…+175
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-35
|
 быстрый просмотр |
83287 шт. |
0.06 BYN
×
от 100 шт. — 0.05 BYN
|
|
|
9946 шт.
Пр-во: Nexperia
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 100
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.2
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.45
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 50
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.01
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -65…+200
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-35
|
быстрый просмотр |
9946 шт. |
0.12 BYN
×
от 100 шт. — 0.10 BYN
|
|
|
Пр-во: Vishay
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.15
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.5
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.01
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -65…+150
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-35
|
 быстрый просмотр |
0.15 BYN
×
от 100 шт. — 0.13 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.2
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.4
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.01
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -55…+175
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-35
|
быстрый просмотр |
0.05 BYN
×
от 100 шт. — 0.04 BYN
|
||
|
4444 шт.
Пр-во: SUNMATE
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.15
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.3
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 1
Максимальное прямое напряжение,В: 1.25
при Iпр.,А: 0.15
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 2
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-123
|
 быстрый просмотр |
4444 шт. |
0.06 BYN
×
от 3000 шт. — 0.04 BYN
|
|
|
17301 шт.
Пр-во: Diotec
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.15
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.3
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 1
Максимальное прямое напряжение,В: 1.25
при Iпр.,А: 0.15
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 2
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-123F
|
 быстрый просмотр |
17301 шт. |
0.08 BYN
×
|
|
|
16130 шт.
Пр-во: Diotec
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.15
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.3
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 1
Максимальное прямое напряжение,В: 1.25
при Iпр.,А: 0.15
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 2
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-323F
|
 быстрый просмотр |
16130 шт. |
0.10 BYN
×
от 100 шт. — 0.08 BYN
|
|
|
Пр-во: ON Semiconductor
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.15
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.3
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.01
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-323F
|
быстрый просмотр |
0.32 BYN
×
от 100 шт. — 0.28 BYN
|
||
|
10434 шт.
Пр-во: Diotec
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.2
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.5
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.1
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -50…+175
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-35
|
 быстрый просмотр |
10434 шт. |
0.08 BYN
×
от 100 шт. — 0.07 BYN
|
|
|
5949 шт.
Пр-во: Diotec
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.15
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.3
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.1
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-123
|
быстрый просмотр |
5949 шт. |
0.10 BYN
×
от 100 шт. — 0.09 BYN
|
|
|
Пр-во: ON Semiconductor
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.15
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.3
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.1
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-323F
|
быстрый просмотр |
0.24 BYN
×
от 100 шт. — 0.21 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.2
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.4
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.01
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -55…+175
Способ монтажа: в отверстие
Корпус: DO-35
|
быстрый просмотр |
0.21 BYN
×
от 100 шт. — 0.18 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 75
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.15
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.4
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 5
Максимальное прямое напряжение,В: 1
при Iпр.,А: 0.01
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 4
Рабочая температура,С: -55…+175
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-323F
|
быстрый просмотр |
0.10 BYN
×
от 100 шт. — 0.09 BYN
|
||
|
932 шт.
Пр-во: Nexperia
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, последовательное соединение
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 80
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 85
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.2
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.5
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 0.5
Максимальное прямое напряжение,В: 1.2
при Iпр.,А: 0.1
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 1.5
Рабочая температура,С: -65…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-323
|
 быстрый просмотр |
932 шт. |
0.28 BYN
×
от 100 шт. — 0.24 BYN
|
|
 быстрый просмотр |
2990 шт. |
0.08 BYN
×
от 100 шт. — 0.06 BYN
|
||
|
быстрый просмотр |
2879 шт. |
0.10 BYN
×
от 100 шт. — 0.08 BYN
|
||
|
3197 шт.
Пр-во: Nexperia
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 100
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.215
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.5
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 0.5
Максимальное прямое напряжение,В: 1.25
при Iпр.,А: 0.15
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 1.5
Рабочая температура,С: -65…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
3197 шт. |
0.26 BYN
×
от 100 шт. — 0.18 BYN
|
|
|
Пр-во: Infineon
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 80
Максимальное импульсное обратное напряжение, В: 85
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.25
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 1
Максимальное прямое напряжение,В: 1.25
при Iпр.,А: 0.15
Максимальное время обратного восстановления, нс: 6
Общая емкость Сд,пФ: 2
Рабочая температура,С: -65…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
0.48 BYN
×
от 100 шт. — 0.32 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.2
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 30
Максимальное прямое напряжение,В: 1.25
при Iпр.,А: 0.15
Максимальное время обратного восстановления, нс: 6
Общая емкость Сд,пФ: 2
Рабочая температура,С: -55…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-323
|
 быстрый просмотр |
0.25 BYN
×
от 100 шт. — 0.20 BYN
|
||
|
4921 шт.
Пр-во: Nexperia
Материал: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В: 100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А: 0.25
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А: 0.5
Максимальный обратный ток,мкА 25гр: 0.5
Максимальное прямое напряжение,В: 1.25
при Iпр.,А: 0.15
Максимальное время обратного восстановления, нс: 4
Общая емкость Сд,пФ: 1.5
Рабочая температура,С: -65…+150
Способ монтажа: smd
Корпус: SOD-323F
|
быстрый просмотр |
4921 шт. |
1.60 BYN
×
от 100 шт. — 1.55 BYN
|
Диоды импульсные – полупроводниковые радиокомпоненты, предназначенные для высокочастотных импульсных схем.
Они являются полупроводниковыми диодами с p-n-переходом, оптимизированные по ёмкости и времени восстановления обратного сопротивления (рассасывание неосновных носителей заряда). Для этого уменьшают площадь p-n-перехода, а при изготовлении используют сильно легированные материалы (кремний легируют золотом), благодаря чему импульсные диоды обладают невысокими предельными импульсными токами (сотни мА) и небольшим предельным обратным напряжением (десятки вольт).
Посмотреть и купить товар из группы «Диоды импульсные» вы можете в наших магазинах в Минске и Гомеле. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.