Диоды быстродействующие
508
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
|
5822 шт.
Пр-во: Diotec
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 100 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.2 В при 1 А
Время обратного восстановления, Trr: 200 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 5 мкА при 100 В
Емкость, пФ: 15 пФ при 4 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): -65…+150 C
Корпус: do-204al/do-41
|
 быстрый просмотр |
5822 шт. |
0.18 BYN
×
от 100 шт. — 0.15 BYN
|
|
|
1586 шт.
Пр-во: Diotec
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.2 В при 1 А
Время обратного восстановления, Trr: 200 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 5 мкА при 200 В
Емкость, пФ: 15 пФ при 4 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): -50…+150 C
Корпус: do-204al/do-41
|
быстрый просмотр |
1586 шт. |
0.18 BYN
×
от 100 шт. — 0.15 BYN
|
|
|
1528 шт.
Пр-во: Китай
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 400 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.2 В при 1 А
Время обратного восстановления, Trr: 200 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 5 мкА при 400 В
Емкость, пФ: 15 пФ при 4 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): -65…+150 C
Корпус: do-204al/do-41
|
 быстрый просмотр |
1528 шт. |
0.08 BYN
×
от 100 шт. — 0.06 BYN
|
|
|
1037 шт.
Пр-во: Китай
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 600 В
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.2 В при 1 А
Время обратного восстановления, Trr: 200 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 5 мкА при 600 В
Емкость, пФ: 15 пФ при 4 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): -65…+150 C
Корпус: do-204al/do-41
|
быстрый просмотр |
1037 шт. |
0.09 BYN
×
от 100 шт. — 0.08 BYN
|
|
|
1510 шт.
Пр-во: Китай
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 1000 В
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.3 В при 1 А
Время обратного восстановления, Trr: 250 нс
Емкость, пФ: 15 пФ при 4 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): -65…+125 C
Корпус: do-204al/do-41
|
 быстрый просмотр |
1510 шт. |
0.32 BYN
×
от 500 шт. — 0.27 BYN
|
|
|
2990 шт.
Пр-во: UMW
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 250 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 0.2 А
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Рабочая температура PN-прехода (°С): -55…+125 C
Корпус: SOT-23-3
|
 быстрый просмотр |
2990 шт. |
0.08 BYN
×
от 100 шт. — 0.06 BYN
|
|
|
2414 шт.
Пр-во: Nexperia
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 200 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Емкость, пФ: 5 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): +150 C(Max)
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
2414 шт. |
0.36 BYN
×
от 100 шт. — 0.34 BYN
|
|
|
3000 шт.
Пр-во: UMW
Конфигурация диода: 2, общий катод
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 250 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 0.2 А
Время обратного восстановления, Trr: 30 нс
Рабочая температура PN-прехода (°С): -55…+150 C
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
3000 шт. |
0.12 BYN
×
от 100 шт. — 0.10 BYN
|
|
|
Пр-во: ON Semiconductor
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 250 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 200 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Емкость, пФ: 5 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): -55…+150 C
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
0.32 BYN
×
от 100 шт. — 0.20 BYN
|
||
|
3000 шт.
Пр-во: UMW
Кол-во диодов в корпусе: 2
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 250 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 0.2 А
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Рабочая температура PN-прехода (°С): -55…+150 C
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
3000 шт. |
0.12 BYN
×
от 100 шт. — 0.10 BYN
|
|
|
Пр-во: MCC
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 200 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Емкость, пФ: 5 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): -65…+150 C
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
0.13 BYN
×
от 3000 шт. — 0.11 BYN
|
||
|
3877 шт.
Пр-во: Diotec
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, последовательное соединение
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 120 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 200 мА
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 400 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 90 В
Емкость, пФ: 35 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): +150 C(Max)
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
3877 шт. |
0.56 BYN
×
от 100 шт. — 0.31 BYN
|
|
|
3929 шт.
Пр-во: Nexperia
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 250 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Емкость, пФ: 2 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): +150 C(Max)
Корпус: SOD-323
|
 быстрый просмотр |
3929 шт. |
0.92 BYN
×
от 100 шт. — 0.78 BYN
|
|
|
7762 шт.
Пр-во: Nexperia
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 250 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Емкость, пФ: 2 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): +150 C(Max)
Корпус: SOD-323
|
 быстрый просмотр |
7762 шт. |
0.37 BYN
×
от 100 шт. — 0.36 BYN
|
|
|
7542 шт.
Пр-во: Nexperia
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 250 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Емкость, пФ: 5 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): +175 C(Max)
Корпус: SOD-80/MiniMELF
|
 быстрый просмотр |
7542 шт. |
0.25 BYN
×
от 100 шт. — 0.22 BYN
|
|
|
Пр-во: Vishay
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 250 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1 В при 100 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Емкость, пФ: 1.5 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): +175 C(Max)
Корпус: SOD-80/MiniMELF
|
быстрый просмотр |
0.16 BYN
×
от 500 шт. — 0.11 BYN
|
||
|
1429 шт.
Пр-во: Nexperia
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 250 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Емкость, пФ: 5 пФ при 0 В, 1 МГц
Рабочая температура PN-прехода (°С): +175 C(Max)
Корпус: SOD-27/DO-35
|
 быстрый просмотр |
1429 шт. |
0.26 BYN
×
от 100 шт. — 0.18 BYN
|
|
|
5990 шт.
Пр-во: UMW
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: Общий катод
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 175 В
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 0.225 А
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Рабочая температура PN-прехода (°С): -55…+150 C
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
5990 шт. |
0.14 BYN
×
от 100 шт. — 0.12 BYN
|
|
|
3248 шт.
Пр-во: Nexperia
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий катод
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 200 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 225 мА(DC)
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 200 В
Рабочая температура PN-прехода (°С): +150 C(Max)
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
3248 шт. |
0.27 BYN
×
от 100 шт. — 0.25 BYN
|
|
|
Пр-во: ON Semiconductor
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, последовательное соединение
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr (В): 250 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А): 200 мА
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В): 1.25 В при 200 мА
Время обратного восстановления, Trr: 50 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА): 100 нА при 250 В
Рабочая температура PN-прехода (°С): +150 C(Max)
Корпус: SOT-23-3
|
быстрый просмотр |
0.48 BYN
×
от 100 шт. — 0.37 BYN
|
Диоды быстродействующие – полупроводниковые устройства, которые предназначены для преобразования постоянного тока в переменный. Такие диоды способны максимально быстро менять своё рабочее состояние.
Любые ключи (GTO или IGBT) требуют дополнительных диодов (к примеру, для обратной реактивной мощности), чтобы преобразовывать постоянный ток при индуктивной нагрузке.
Быстродействующие диоды специально оптимизировали для большой динамической нагрузки для максимально быстрого перехода от проводящего состояния к непроводящему. Тем не менее, потери в проводящем состоянии у них выше, чем у выпрямительных диодов.
Посмотреть и купить товар из группы «Диоды быстродействующие» вы можете в нашем магазине в Минске. Доставка заказа почтой по всей территории Республики Беларусь, включая города Гомель, Могилёв, Витебск, Гродно, Брест, Бобруйск, Барановичи.