Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor

3952 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
сбросить
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
сбросить
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
сбросить
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
сбросить
Статический коэффициент передачи тока h21э макс
сбросить
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Минск
Гомель
Цена, BYN
Мин. цена
Макс. цена
2N3773G, Транзистор NPN 150Вт 4МГц [TO-3]
4 дня, 222 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: то-3
быстрый просмотр
4 дня,
222 шт.
37 BYN ×
от 10 шт. — 33.51 BYN
2N6488G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]
4 дня, 291 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 90
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
быстрый просмотр
4 дня,
291 шт.
3.90 BYN ×
от 15 шт. — 3.44 BYN
2N6491G, Транзистор PNP 15A 80V [TO-220AB]
4 дня, 150 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
быстрый просмотр
4 дня,
150 шт.
4 BYN ×
от 15 шт. — 3.79 BYN
2SA2222SG, Транзистор PNP 50В 10А [TO-220ML]
258 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 230
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
быстрый просмотр
258 шт.
7.30 BYN ×
от 5 шт. — 6.63 BYN
2SC5706-TL-E, Транзистор NPN 50В 5А [TP-FA / TO-252.]
4 дня, 312 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 400
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.8
быстрый просмотр
4 дня,
312 шт.
5.70 BYN ×
от 15 шт. — 5.33 BYN
2SC6144SG, Транзистор биполярный, NPN 50В 10А 25Вт [TO-220F-3SG]
216 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…560
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 330
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
быстрый просмотр
216 шт.
5.20 BYN ×
от 15 шт. — 5.02 BYN
BC517-D74Z, Транзистор Дарлингтона NPN 30В 0.5А 0.63Вт, [TO-92]
445 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
445 шт.
1.30 BYN ×
от 100 шт. — 1.11 BYN
BC550CTA, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.5Вт, [TO-92]
345 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420…800
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
345 шт.
0.67 BYN ×
от 100 шт. — 0.48 BYN
BC559BTA, Транзистор PNP 30В 0.1А [TO-92 Ammo]
4 дня, 1051 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
4 дня,
1051 шт.
0.64 BYN ×
от 100 шт. — 0.49 BYN
BC807-25LT1G, Транзистор PNP GP 500MA 45V [SOT-23]
4 дня, 1158 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160…400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
4 дня,
1158 шт.
0.26 BYN ×
от 100 шт. — 0.13 BYN
BC807-40LT1G, Транзистор PNP GP 500MA 45V, [SOT-23]
4 дня, 1604 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250…600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
4 дня,
1604 шт.
0.34 BYN ×
от 100 шт. — 0.25 BYN
BC817-16LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт [SOT-23]
2672 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
2672 шт.
0.32 BYN ×
от 100 шт. — 0.19 BYN
BC817-25LT1G, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.31Вт, [SOT-23]
7635 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160…400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
7635 шт.
0.46 BYN ×
от 100 шт. — 0.36 BYN
BC817-40LT1G, Транзистор NPN 45В 0.5А 0.31Вт, [SOT-23]
4 дня, 19612 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250…600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
4 дня,
19612 шт.
0.18 BYN ×
от 100 шт. — 0.16 BYN
BC846ALT1G, Транзистор NPN 65В 0.2А 0.3Вт [SOT-23-3.]
4 дня, 6640 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 110…220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
4 дня,
6640 шт.
0.34 BYN ×
от 100 шт. — 0.27 BYN
BC846BDW1T1G, Транзисторная сборка, 2-NPN, 65В, 100мА [SOT-363 / SC-88]
4 дня, 930 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25
Корпус: sot-363/sc-88
быстрый просмотр
4 дня,
930 шт.
0.53 BYN ×
от 100 шт. — 0.33 BYN
BC846BLT1G, Транзистор NPN 65В 0.2А 0.3Вт [SOT-23]
7405 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
7405 шт.
0.30 BYN ×
от 100 шт. — 0.14 BYN
BC847BDW1T1G, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.25Вт, [SOT-363]
4 дня, 7866 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
4 дня,
7866 шт.
0.46 BYN ×
от 100 шт. — 0.35 BYN
BC847BLT1G, Транзистор NPN 45В 100мА, [SOT-23]
8016 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
8016 шт.
0.19 BYN ×
от 100 шт. — 0.09 BYN
BC847CLT1G, Транзистор, NPN, 45В, 0.1А, [SOT-23]
2867 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
быстрый просмотр
2867 шт.
0.23 BYN ×
от 100 шт. — 0.16 BYN
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60