Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
4 дня, 222 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 160
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: то-3
|
![]() |
4 дня, 222 шт. |
37 BYN × |
от 10 шт. — 33.51 BYN
|
4 дня, 291 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 90
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 15
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
|
![]() |
4 дня, 291 шт. |
3.90 BYN × |
от 15 шт. — 3.44 BYN
|
4 дня, 150 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 75
Корпус: to-220
|
![]() |
4 дня, 150 шт. |
4 BYN × |
от 15 шт. — 3.79 BYN
|
258 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 230
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
|
![]() |
258 шт. |
7.30 BYN × |
от 5 шт. — 6.63 BYN
|
4 дня, 312 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 400
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.8
|
![]() |
4 дня, 312 шт. |
5.70 BYN × |
от 15 шт. — 5.33 BYN
|
216 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…560
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 330
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 25
Корпус: to-220f-3fs
|
![]() |
216 шт. |
5.20 BYN × |
от 15 шт. — 5.02 BYN
|
445 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625
Корпус: TO-92
|
![]() |
445 шт. |
1.30 BYN × |
от 100 шт. — 1.11 BYN
|
345 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420…800
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
|
![]() |
345 шт. |
0.67 BYN × |
от 100 шт. — 0.48 BYN
|
4 дня, 1051 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 30
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5
Корпус: TO-92
|
![]() |
4 дня, 1051 шт. |
0.64 BYN × |
от 100 шт. — 0.49 BYN
|
4 дня, 1158 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160…400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
4 дня, 1158 шт. |
0.26 BYN × |
от 100 шт. — 0.13 BYN
|
4 дня, 1604 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250…600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
4 дня, 1604 шт. |
0.34 BYN × |
от 100 шт. — 0.25 BYN
|
2672 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
2672 шт. |
0.32 BYN × |
от 100 шт. — 0.19 BYN
|
7635 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160…400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
7635 шт. |
0.46 BYN × |
от 100 шт. — 0.36 BYN
|
4 дня, 19612 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 250…600
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
4 дня, 19612 шт. |
0.18 BYN × |
от 100 шт. — 0.16 BYN
|
4 дня, 6640 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 110…220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
4 дня, 6640 шт. |
0.34 BYN × |
от 100 шт. — 0.27 BYN
|
4 дня, 930 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25
Корпус: sot-363/sc-88
|
![]() |
4 дня, 930 шт. |
0.53 BYN × |
от 100 шт. — 0.33 BYN
|
7405 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
7405 шт. |
0.30 BYN × |
от 100 шт. — 0.14 BYN
|
4 дня, 7866 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25
Корпус: sot-23
|
![]() |
4 дня, 7866 шт. |
0.46 BYN × |
от 100 шт. — 0.35 BYN
|
8016 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.25
Корпус: sot-23
|
![]() |
8016 шт. |
0.19 BYN × |
от 100 шт. — 0.09 BYN
|
2867 шт.
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 45
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 420
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.225
Корпус: sot-23
|
![]() |
2867 шт. |
0.23 BYN × |
от 100 шт. — 0.16 BYN
|