Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes

Транзисторы биполярные (BJTs) Diodes

_{242 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже

Мин. цена	BYN
Макс. цена	BYN

BC847BS-7-F, Транзистор NPN 45В 0.1А, [SOT-363] Пр-во: Diodes Структура: 2 x npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 200…450 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.2 Корпус: SOT-363	быстрый просмотр	0.52 BYN × от 100 шт. — 0.32 BYN
FMMT591ATA, Транзистор, [SOT-23] Пр-во: Diodes Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 150 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	1.05 BYN × от 100 шт. — 0.90 BYN
FMMT617TA, Транзистор NPN 15В 3А 625мВт [SOT-23] Пр-во: Diodes Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 15 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 120 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	2 BYN × от 100 шт. — 1.67 BYN
FMMT718TA, Транзистор биполярный, PNP 20В 1.5А 0.625Вт [SOT-23] Пр-во: Diodes Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 180 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	1.60 BYN × от 100 шт. — 1.32 BYN
FZT1049ATA, Транзистор NPN 25V 5A [SOT-223] Пр-во: Diodes Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 180 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	3.40 BYN × от 50 шт. — 2.96 BYN
FZT751TA, Транзистор PNP 60В 3А [SOT-223] Пр-во: Diodes Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40…300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	2.35 BYN × от 50 шт. — 2 BYN
FZT968TA, Транзистор биполярный, PNP 12В 6А 3Вт [SOT-223] Пр-во: Diodes Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 20 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 180 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	9.70 BYN × от 50 шт. — 9 BYN
ZTX651, Транзистор NPN 60В 2А E-LINE [TO-92-3] Пр-во: Diodes Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 175 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1 Корпус: E-Line-3	быстрый просмотр	4 BYN × от 5 шт. — 3.61 BYN
ZTX653, Транзистор NPN 100В 2A E-LINE [TO-92-3] Пр-во: Diodes Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 175 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1 Корпус: E-Line-3	быстрый просмотр	5.90 BYN × от 50 шт. — 5.68 BYN
ZTX753, Транзистор PNP 100В 2А E-LINE [TO-92-3] Пр-во: Diodes Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 140 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1 Корпус: E-Line-3	быстрый просмотр	5.40 BYN × от 5 шт. — 4.84 BYN
2DC4672-13 Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	4.40 BYN × от 5 шт. — 2.76 BYN
BC847CT-7-F, Транзистор [SOT-523] Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	0.32 BYN ×
BCP5616TA, Транзистор: NPN Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	1.15 BYN × от 5 шт. — 1.12 BYN
DZT5551-13, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 130 МГц, 2 Вт, 600 мА, 30 hFE Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	1.35 BYN × от 5 шт. — 0.80 BYN
FMMT634TA, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 140 МГц, 625 мВт, 900 мА, 60000 hFE Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	1.45 BYN × от 5 шт. — 1.12 BYN
FMMT717TA, Транзистор PNP; bipolar; 12V; 2.5A; 625mW; SOT23 Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	1.60 BYN × от 5 шт. — 1.56 BYN
FMMT720, Транзистор Пр-во: Diodes		3.80 BYN × от 5 шт. — 3.72 BYN
FMMT734TA, Транзистор Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	1.80 BYN × от 5 шт. — 1.71 BYN
FZT651, Биполярный транзистор Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	3.60 BYN × от 5 шт. — 3.52 BYN
MMBT3904-7-F, Транзистор 0.2A 0.3W NPN 40V [SOT-23-3] Пр-во: Diodes	быстрый просмотр	1.35 BYN × от 5 шт. — 0.37 BYN

Транзисторы биполярные (BJTs) Diodes

ООО «ЧИП и ДИП»