Диоды Шоттки ON Semiconductor
672 из более 1000
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: BAT54
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.8
Обратный ток утечки, мкА: 2
Емкость, пФ: 10
Рабочая температура, °C: -55…+150
Корпус: SOD-323/SC-76
|
 быстрый просмотр |
0.20 BYN
×
от 100 шт. — 0.15 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBR05хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 20
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.385
Обратный ток утечки, мкА: 250
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: SOD-123
|
 быстрый просмотр |
0.76 BYN
×
от 100 шт. — 0.70 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBR05хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.43
Обратный ток утечки, мкА: 130
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: SOD-123
|
быстрый просмотр |
0.37 BYN
×
от 100 шт. — 0.33 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBR05хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.51
Обратный ток утечки, мкА: 20
Рабочая температура, °C: -55…+150
Корпус: SOD-123
|
быстрый просмотр |
1.25 BYN
×
от 100 шт. — 0.88 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBR10хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 10
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.8
Обратный ток утечки, мкА: 100
Рабочая температура, °C: -65…+175 C
Корпус: TO-220-2/TO-220AC(2 Leads)
|
 быстрый просмотр |
5.50 BYN
×
от 15 шт. — 5.12 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBR1хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.79
Обратный ток утечки, мкА: 500
Рабочая температура, °C: -65…+175 C
Корпус: do-204al/do-41
|
 быстрый просмотр |
2.10 BYN
×
от 500 шт. — 1.86 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBR16хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 45
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 16
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.63
Обратный ток утечки, мкА: 200
Рабочая температура, °C: -65…+175 C
Корпус: TO-220-2/TO-220AC(2 Leads)
|
быстрый просмотр |
9 BYN
×
от 15 шт. — 8.52 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBR20хх
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий катод
Максимальное обратное напряжение (В): 200
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 10
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.9
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Рабочая температура, °C: -65…+175 C
Корпус: TO-220-3/TO-220AB(3 Leads)
|
 быстрый просмотр |
7 BYN
×
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBR25хх
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий катод
Максимальное обратное напряжение (В): 45
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 15
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.62
Обратный ток утечки, мкА: 200
Рабочая температура, °C: -65…+175 C
Корпус: TO-220-3/TO-220AB(3 Leads)
|
 быстрый просмотр |
6.60 BYN
×
от 15 шт. — 6.24 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBRA3хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 3
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.45
Обратный ток утечки, мкА: 300
Рабочая температура, °C: -55…+150
Корпус: do-214ac/sma
|
 быстрый просмотр |
3.40 BYN
×
от 100 шт. — 3.04 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBRB20хх
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий катод
Максимальное обратное напряжение (В): 100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 10
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.85
Обратный ток утечки, мкА: 100
Рабочая температура, °C: -65…+175 C
Корпус: D2PAK/TO-263AB(2 Leads+Tab)
|
 быстрый просмотр |
5.70 BYN
×
от 15 шт. — 5.36 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBRS1хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 90
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.75
Обратный ток утечки, мкА: 500
Рабочая температура, °C: -65…+175 C
Корпус: do-214aa/smb
|
 быстрый просмотр |
3.60 BYN
×
от 100 шт. — 3.20 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: MBRS5хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.5
Обратный ток утечки, мкА: 300
Рабочая температура, °C: -65…+150
Корпус: do-214ab/smc
|
 быстрый просмотр |
3.90 BYN
×
от 100 шт. — 3.47 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: SB3хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 3
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.85
Обратный ток утечки, мкА: 500
Емкость, пФ: 180
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-201ad/do-27
|
 быстрый просмотр |
2.50 BYN
×
от 100 шт. — 2.36 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: SB5хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 100
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.85
Обратный ток утечки, мкА: 500
Емкость, пФ: 380
Рабочая температура, °C: -55…+150
Корпус: do-201ad/do-27
|
быстрый просмотр |
4.70 BYN
×
от 100 шт. — 4.44 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: SB5хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 60
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 5
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.67
Обратный ток утечки, мкА: 500
Емкость, пФ: 380
Рабочая температура, °C: -55…+150
Корпус: do-201ad/do-27
|
 быстрый просмотр |
2.65 BYN
×
от 100 шт. — 2.56 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: SS1хх
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 40
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 1
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.5
Обратный ток утечки, мкА: 200
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-214ac/sma
|
быстрый просмотр |
0.56 BYN
×
от 100 шт. — 0.44 BYN
|
||
|
быстрый просмотр |
0.52 BYN
×
от 500 шт. — 0.48 BYN
|
|||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: 80SQ
Тип устройства: Диод Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 1
Конфигурация диода: Одиночный
Максимальное обратное напряжение (В): 45
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 8
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.55
Обратный ток утечки, мкА: 1000
Рабочая температура, °C: -65…+125
Корпус: do-201ad/do-27
|
 быстрый просмотр |
4.70 BYN
×
от 50 шт. — 4.36 BYN
|
||
|
Пр-во: ON Semiconductor
Серия: BAT54
Тип устройства: Диодная сборка Шоттки
Материал полупроводника: кремний
Кол-во диодов в корпусе: 2
Конфигурация диода: 1-пара, общий анод
Максимальное обратное напряжение (В): 30
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А): 0.2
Максимальное прямое напряжение ,В: 0.8
Обратный ток утечки, мкА: 2
Рабочая температура, °C: -55…+150
Корпус: SOT-23-3/TO-236AB/SC-59
|
 быстрый просмотр |
0.10 BYN
×
от 100 шт. — 0.08 BYN
|